《模拟电子技术基础》任英玉第1章半导体二极管及其应用电路.pptVIP

(2)PN结外加反向电压时的导电情况PN结加反向电压时PN结外加反向电压内外电场方向一致PN结变厚少数载流子的漂移运动占优势表现为电流很小，电阻很大N区接电源的正极，P区接负极，称为外加反向电压，即反偏。在一定的温度条件下，热激发的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流称为反向饱和电流。1.2PN结的特性2.PN结的伏安特性1.2PN结的特性伏安特性曲线分为四个部分：1.PN结的单向导电性3.PN结的击穿特性雪崩击穿:低掺杂的PN结中（碰撞共价键中的价电子，成为电子空穴对）齐纳击穿:高掺杂的PN结中（共价键中的价电子获得能量，成为电子空穴对）电击穿:可逆的热击穿:不可逆1.2PN结的特性PN结的单向导电性PN结的伏安特性相当于势垒区放电当PN结正偏电压增大或反偏电压减小空间电荷量减小耗尽层变窄(1)势垒电容总结：1.PN结的势垒电容是描述势垒区的空间电荷量随电压变化而产生的电容效应。2.PN结反偏时，势垒电容的作用明显。1.2.1PN结的特性4.PN结的电容效应势垒电容示意图uuPN结的单向导电性PN结的伏安特性PN结的击穿特性扩散电容示意图总结：1.扩散电容是描述势垒区外侧的非平衡少子积累引起的电容效应。2.正偏时，扩散电容的作用明显。相当于电容的充电过程当外加正偏电压增大时多子扩散在对方中性区成为非平衡少子结区边界附近少子浓度梯度最高(2)扩散电容1.2.2PN结的特性4.PN结的电容效应(1)势垒电容PN结的电容效应是影响半导体器件最高工作频率的根本原因。PN结的单向导电性PN结的伏安特性PN结的击穿特性1.2.2PN结的特性5.PN结的温度特性PN结的单向导电性PN结的伏安特性PN结的击穿特性PN结的电容效应③而温度升高时，反向特性曲线下移。温度变化对反向特性的影响更为明显。①PN结对环境温度的变化很敏感，表现为其伏安特性曲线将发生变化。②它的变化趋势是温度升高时，正向特性曲线左移。？？？载流子是能够运动的，分为多子的扩散运动和少子的漂移运动运动的结果，载流子成为非平衡少子复习与总结1.2PN结及其特性空间电荷区是由不能移动的杂质正负离子构成的区域。掺杂浓度与空间电荷区的宽窄关系是怎样的？掺杂浓度越大，PN结由正偏到反偏经历的过渡过程时间越长，掺杂浓度越大，PN结由反偏到正偏经历的过渡过程时间越长。在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。(1)点接触型二极管PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(a)点接触型1.3.1二极管的结构1.3半导体二极管二极管符号iDuD＋－阳极正极阴极负极二极管按结构有点接触型，面接触型和平面型三大类。(c)平面型(3)平面型二极管用于高频整流和开关电路中。(2)面接触型二极管PN结面积大，用于工频大电流整流电路。(b)面接触型1.3半导体二极管二极管符号iDuD＋－半导体二极管图片1.2.3半导体二极管二极管符号iDuD＋－二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：1.2.3半导体二极管二极管符号在仿真软件Multisim软件中二极管1N4001系列，“1N”就是一个PN结的意思。iDuD＋－1.3.2二极管的伏安特性IS是为反向饱和电流UD为二极管两端的电压降UT=kT/q温度的电压当量k为玻耳兹曼常数，k=1.38×10-23J/Kq为电子电荷量,q=1.6×10-19CT为热力学温度对于室温T=300K，则有UT=26mV1.3半导体二极管二极管符号iDuDuDiDiDuD＋－(1)正向特性硅二极管的死区电压(阈值电压)Uth=0.5V左右，锗二极管的死区电压(阈值电压)Uth=0.1V左右。当0＜uD＜Uth时，正向电流为零，Uth称为死区电压。当uD＞0即处于正向特性区域，分为两段：当uD＞Uth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。1.3半导体二极管二极管符号iDu