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缺陷氧化钨纳米复合材料：制备、表征及多元应用的深度探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学迅猛发展的当下，纳米材料凭借其独特的小尺寸效应、表面效应和量子尺寸效应，展现出与传统材料截然不同的物理化学性质，在众多领域引发了广泛关注与深入研究。氧化钨（WO_3）作为一种重要的过渡金属氧化物，因其具备特殊的晶体结构和丰富的物理化学性质，在光电器件、能源存储与转换、环境治理以及传感器等领域具有广阔的应用前景。

氧化钨具有典型的半导体特性，其禁带宽度约为2.6-2.8eV，这使其能够对可见光及部分紫外光的光子能量产生有效响应。当光子能量大于禁带宽度时，电子可从价带跃迁到导带，产生光生载流子