CN120264819A 一种具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直d-mosfet及制备方法 （杭州谱析光晶半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120264819A(43)申请公布日2025.07.04

(21)申请号202510734667.2

(22)申请日2025.06.04

(71)申请人杭州谱析光晶半导体科技有限公司地址310000浙江省杭州市萧山区瓜沥镇

航钱路168号3幢4层405(自主分割)

(72)发明人许一力李鑫刘倩倩

(74)专利代理机构北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙)11380

专利代理师刘加龙

(51)Int.CI.

H10D30/66(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

权利要求书1页说明书5页附图6页

(54)发明名称

一种具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET及制备方法

(57)摘要

CN120264819A本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET及制备方法，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括漏极、源极、栅极、栅氧化层以及半导体外延层，所述半导体外延层包括N衬底层、N扩散层、P+层、P阱层以及N阱层，所述栅极的截面轮廓呈三角形，所述栅极与栅氧化层的交接处沉积有多晶硅覆盖层；所述栅氧化层的截面轮廓呈半椭圆形状，所述多晶硅覆盖层的截面轮廓呈三角形。本发明通过将栅极的截面轮廓设计为三角形，并控制栅氧化层呈半椭圆形状，优化了电场分布和载流子迁移路径，

CN120264819A

CN120264819A权利要求书1/1页

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1.一种具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET,包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括漏极(1)、源极(2)、栅极(3)、栅氧化层(5)以及半导体外延层，所述半导体外延层包括N衬底层(6)、N扩散层(7)、P+层(8)、P阱层(9)以及N阱层(10),其特征在于：所述栅极(3)的截面轮廓呈三角形，所述栅极(3)与栅氧化层(5)的交接处沉积有多晶硅覆盖层(4);所述栅氧化层(5)的截面轮廓呈半椭圆形状。

2.根据权利要求1所述的具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET,其特征在于：所述多晶硅覆盖层(4)的截面轮廓呈三角形，其中多晶硅覆盖层(4)两侧的边处沉积形成有扩展层(11)。

3.根据权利要求2所述的具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET,其特征在于：所述扩展层(11)的材质采用氮化钛或氮化钽中的一种。

4.根据权利要求1所述的具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET,其特征在于：所述栅极(3)还包括有梳状栅(31),其中梳状栅(31)包括有七个纵向齿以及用于连接该七个纵向齿的横向梁。

5.根据权利要求1所述的具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET,其特征在于：所述N衬底层(6)与N扩散层(7)的交接处通过离子注入向下形成有下凸栅(12),其中单个MOS元胞的中间处下凸栅(12)的截面高度高于两侧处下凸栅(12)的截面高度。

6.根据权利要求1或3所述的具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET,其特征在于：所述N衬底层(6)与N扩散层(7)的交接处通过离子注入向上形成有上凹栅(13),其中单个MOS元胞的中间处上凹栅(13)的截面高度低于两侧处上凹栅(13)的截面高度。

7.根据权利要求6所述的具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET,其特征在于：单个所述MOS元胞的中间处且位于漏极(1)与N衬底层(6)交接处沉积形成有场氧化层(14)。

8.根据权利要求5或6所述的具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFE,其特征在于：所述下凸栅(12)或上凹栅(13)均通过注入硼元素来形成P型结构层。

9.一种具有沟槽隔离和改进通道结构垂直D-MOSFET的制备方法，其特征在于，应用于权利要求6-8任一项所述的具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET.所述的具有沟槽隔离和改进通道结构垂直D-MOSFET的制备方法，具体步骤包括有：

S1、基于N衬底层(6)来通过外延生长技术依次形成N扩散层(7)、P+层(8)、P阱层(9)及N阱层(10);

S2、在半导体外延层表面蚀刻深沟槽，填充二氧化硅形成沟槽隔离结构；

S3、通过光刻和干法蚀刻工艺在栅