电子材料复习试卷及答案.docxVIP

电子材料复习试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共20分。请将正确选项前的字母填在括号内）

1.根据能带理论，绝缘体的导带底和价带顶之间通常存在一个较宽的（）。

A.禁带

B.次级能带

C.谐振能级

D.费米能级

2.在N型半导体中，占主导地位的载流子是（）。

A.电子

B.空穴

C.自由电子和空穴

D.洛伦兹力

3.硅（Si）和锗（Ge）都属于（）族元素半导体。

A.I

B.II

C.III

D.IV

4.当杂质元素原子半径小于半导体原子半径时，它通常形成（）。

A.受主杂质

B.施主杂质

C.固溶体

D.间隙杂质

5.在半导体中，载流子的漂移运动是由（）引起的。

A.扩散

B.热运动

C.电场力

D.化学势

6.理想PN结在热平衡状态时，其耗尽层主要存在于（）。

A.P区

B.N区

C.P区和N区的内部

D.PN结的两侧边缘

7.光电效应现象直接证明了（）的存在。

A.能带

B.晶格振动（声子）

C.介电常数

D.晶体结构

8.下列哪种材料通常表现出铁电性？（）

A.钛酸钡（BaTiO?）

B.氧化铝（Al?O?）

C.金刚石（C）

D.铝（Al）

9.X射线衍射（XRD）技术主要用于分析材料的（）。

A.化学成分

B.微观形貌

C.晶体结构与物相

D.热稳定性

10.在化学气相沉积（CVD）过程中，反应气体在高温下发生分解，这是（）步骤。

A.沉积

B.汽化

C.分解

D.成核

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填在横线上）

1.半导体材料的能带结构由满带、__________和禁带组成。

2.空穴可以看作是带__________电的载流子。

3.温度升高，半导体材料的本征载流子浓度__________（填“增加”、“减小”或“不变”）。

4.PN结两侧的载流子通过扩散和复合达到动态平衡。

5.导电材料的主要特征是具有较小的__________和较大的__________。

6.压电材料在受到__________作用时会产生表面电荷。

7.薄膜材料的晶粒尺寸通常远小于块状材料的__________。

8.霍尔效应实验可以用来测量载流子的__________。

9.扩散是载流子或杂质原子在__________作用下的迁移现象。

10.超导材料在达到临界温度以下时，其电阻率变为__________。

三、名词解释题（每小题3分，共15分）

1.能带（Band）

2.N型半导体（N-typeSemiconductor）

3.耗尽层（DepletionRegion）

4.霍尔效应（HallEffect）

5.化学气相沉积（CVD）

四、简答题（每小题5分，共10分）

1.简述半导体材料与绝缘体材料在能带结构上的主要区别。

2.简述影响半导体材料导电性能的主要因素。

五、计算题（共15分）

1.硅（Si）的禁带宽度为Eg=1.12eV。计算对应的光子波长是多少？这种波长的光属于可见光光谱的哪个区域？（结果保留一位小数，提示：E=hc/λ，h=6.626×10?3?J·s，c=2.998×10?m/s，1eV=1.602×10?1?J）

2.某N型锗（Ge）样品，其本征载流子浓度n?=2.4×101?cm?3。掺杂浓度N_D=1×1022cm?3的磷（P）。假设掺杂完全，且温度为300K。（Ge的有效质量m*_n≈0.55m?，m?为电子静止质量；磷为施主杂质；Eg(Ge)=0.67eV；k_B=1.38×10?23J/K，e=1.602×10?1?C）请估算：

a)该样品的电子浓度n和空穴浓度p。（结果分别用科学计数法表示，单位cm?3）

b)该样品的费米能级E_F相对于导带底的能量位置（即E_F-E_C的近似值，单位eV）。（假设n≈N_D）

六、论述题（10分）

结合能带理论和PN结的基本原理，论述当PN结施加正向电压和反向电压时，其耗尽层宽度和电流变化的主要原因。

试卷答案

一、选择题

1.A

2.A

3.