第一章绪论:拓扑绝缘体材料的崛起与电子器件的革新第二章TiO?基拓扑绝缘体材料的制备工艺第三章拓扑绝缘体电子器件结构设计第四章TI材料电子器件的制备工艺优化第五章TI电子器件应用性能测试第六章结论与展望1
01第一章绪论:拓扑绝缘体材料的崛起与电子器件的革新
拓扑绝缘体材料的特殊物理性质拓扑绝缘体(TI)材料自2005年首次被提出以来,在理论研究和实验制备方面取得了突破性进展。这些材料具有表面态导电、体态绝缘的特殊物理性质,使其成为构建新型电子器件的重要候选材料。拓扑绝缘体的表面态是由时间反演对称性保护的,即使在体态存在强杂质的条件下,表面态仍能保持完美的导电性。这种独特的物理性
原创力文档

文档评论(0)