CN115360236B 一种具有高阻缓冲层的GaN HEMT器件及其制备方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115360236B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202210784835.5

(22)申请日2022.07.05

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115360236A

(43)申请公布日2022.11.18

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人周小伟黄晨曦李培咸冯晨宇

刘瑞宇

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230

专利代理师王丹

(51)Int.CI.

H10D30/47(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

(56)对比文件

CN105390532A,2016.03.09

CN106057882A,2016.10.26

审查员唐朝东

权利要求书2页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种具有高阻缓冲层的GaNHEMT器件及其制备方法

(57)摘要

CN115360236B本发明公开一种具有高阻缓冲层的GaNHEMT器件及其制备方法，所述器件包括自下而上依次设置的衬底、A1N成核层、应力调控层、高阻缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层，其中，高阻缓冲层自下而上依次包括掺Fe的GaN缓冲层、六方BN缓冲层和掺C的GaN缓冲层；GaN帽层的上表面设置有相互间隔的源电极、漏电极和栅电极，源电极和漏电极与AlGaN势垒层形成欧姆接触；栅电极与A1GaN势垒层形成肖特基接触。本发明利用高阻缓冲层不仅可以实现缓冲层的高阻特性，还可以防止Fe进入GaN沟道

CN115360236B

CN115360236B权利要求书1/2页

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1.一种具有高阻缓冲层的GaNHEMT器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底(1)、A1N成核层(2)、应力调控层(3)、高阻缓冲层(4)、GaN沟道层(5)、A1N插入层(6)、AlGaN势垒层(7)和GaN帽层(8),其中，

所述高阻缓冲层(4)自下而上依次包括掺Fe的GaN缓冲层、六方BN缓冲层和掺C的GaN缓

冲层；

所述GaN帽层(8)的上表面设置有相互间隔的源电极(9)、漏电极(10)和栅电极(11),所述源电极(9)和所述漏电极(10)分别与所述AlGaN势垒层(7)形成欧姆接触；所述栅电极(11)与所述AlGaN势垒层(7)形成肖特基接触。

2.根据权利要求1所述的具有高阻缓冲层的GaNHEMT器件，其特征在于，所述衬底(1)为(111)面的Si、(001)面的SiC或者(001)面的蓝宝石。

3.根据权利要求1所述的具有高阻缓冲层的GaNHEMT器件，其特征在于，所述应力调控层(3)为Al组分梯度渐变的AlGaN缓冲层或者A1N/GaN超晶格缓冲层，所述AlGaN缓冲层的Al组分的梯度渐变范围为0-100%。

4.根据权利要求1所述的具有高阻缓冲层的GaNHEMT器件，其特征在于，所述高阻缓冲层(4)的厚度为300-2500nm,其中，所述掺Fe的GaN缓冲层厚度为100-1000nm,Fe的掺杂浓度为1×101?-1×101?cm?3;所述六方BN缓冲层的厚度为100-500nm;所述掺C的GaN缓冲层厚度为100-1000nm,C的掺杂浓度为1×101?-1×101cm3。

5.根据权利要求1所述的具有高阻缓冲层的GaNHEMT器件，其特征在于，所述GaN沟道层(5)的Fe浓度小于或等于1×101?cm?3。

6.一种具有高阻缓冲层的GaNHEMT器件的制备方法，用于制备权利要求1至5中任一项所述的具有高阻缓冲层的GaNHEMT器件，所述制备方法包括：

S1:在衬底上表面生长AlN成核层；

S2:在所述A1N成核层上表面生长应力调控层；

S3:在所述应力调控层的上表面生长高阻缓冲层，所述高阻缓冲层自下而上依次包括掺Fe的GaN缓冲层、六方BN缓冲层以及掺C的GaN缓冲层；

S4:在所述高阻缓冲层的上表面生长GaN沟道层；

S5:在所述GaN沟道层的上表面生长A1N插入层；

S6:在所述A1N插入层的上表面生长AlGaN势垒层；

S7:在所述AlGaN势垒层的上表面生长GaN帽层