CN115308826B 闪耀光栅的制造方法 （杭州探真纳米科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115308826B

(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202210861036.3

(22)申请日2022.07.22

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115308826A

(43)申请公布日2022.11.08

(73)专利权人杭州探真纳米科技有限公司

地址310000浙江省杭州市拱墅区学院北

路50号三宝文化创意产业园A栋702室

(72)发明人崔波严正朱效立潘艾希

(74)专利代理机构杭州中港知识产权代理有限公司33353

专利代理师裴大牛

(51)Int.CI.

(56)对比文件

CN117413209A,2024.01.16JPA,1992.07.03CN103091747A,2013.05.08CN112889134A.2021.06.01

审查员宋晓诗

GO2B5/18(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图1页

(54)发明名称

闪耀光栅的制造方法

(57)摘要

CN115308826B本发明提供一种闪耀光栅的制造方法，包括以下步骤：在光栅基底上形成图案；采用掩膜材料在所述光栅基底上形成刻蚀掩膜，所述掩膜材料填充满所述光栅基底图案中的空隙；去除所述光栅基底表面的刻蚀掩膜，直至所述光栅基底的图案被露出，填充在所述光栅基底图案空隙中的的掩膜材料不会被去除；对所述光栅基底进行倾斜角度刻蚀，得到需要的闪耀光栅结构；去除剩余的掩膜材料。通过本发明的方法可以实现纳米尺寸光栅的制造，形成的图案具有更高精确度；本方法重复性高，光栅高度可确定或者可由刻蚀

CN115308826B

CN115308826B权利要求书1/1页

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1.闪耀光栅的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在光栅基底上形成图案；

采用掩膜材料在所述光栅基底上形成刻蚀掩膜，所述掩膜材料填充满所述光栅基底图案中的空隙；

去除所述光栅基底表面的刻蚀掩膜，直至所述光栅基底的图案被露出，填充在所述光栅基底图案空隙中的掩膜材料不会被去除；

对所述光栅基底进行倾斜角度刻蚀，得到需要的闪耀光栅结构；

去除剩余的掩膜材料；

对所述光栅基底进行倾斜角度刻蚀的方法为：进行倾斜离子束刻蚀；

对所述光栅基底进行倾斜角度刻蚀的过程中，在刻蚀至出现部分光栅时取出光栅基底，采用倾斜电子束在掩膜材料露出的侧壁上蒸镀一层增强掩膜层，然后继续对所述光栅基底进行倾斜角度刻蚀。

2.根据权利要求1所述的闪耀光栅的制造方法，其特征在于，所述光栅基底为沉积在硅衬底上的SiO?层；或者所述光栅基底为硅基底。

3.根据权利要求1所述的闪耀光栅的制造方法，其特征在于，所述掩膜材料为A1?0?、

HfO?、Ga?O?、A1N、Ir、Pt中的一种。

4.根据权利要求1-3中的任意一项所述的闪耀光栅的制造方法，其特征在于，在所述光栅基底上形成图案的方法包括：

采用抗蚀剂在光栅基底上旋涂一层抗蚀层，将抗蚀层进行曝光、显影，形成具有图案的抗蚀层；

在光栅基底上采用电子束蒸发蒸镀金属层，所述金属层的厚度小于抗蚀层的厚度，所述金属层蒸镀在抗蚀层图案中的空隙；

去除剩余的抗蚀剂，形成具有图案的金属层；

采用刻蚀法将金属层的图案转移至所述光栅基底。

5.根据权利要求4所述的闪耀光栅的制造方法，其特征在于，所述抗蚀剂为聚甲基丙烯酸甲酯PMMA,所述金属层为Cr金属层。

6.根据权利要求1所述的闪耀光栅的制造方法，其特征在于，所述增强掩膜层为Cr增强掩膜层。

CN115308826B说明书1/5页

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闪耀光栅的制造方法

技术领域

[0001]本发明属于光栅技术领域，尤其是涉及一种闪耀光栅的制造方法。

背景技术

[0002]当光栅刻划成锯齿形的线槽断面时，光栅的光能量便集中在预定的方向上，即某一光谱级上。从这个方向探测时，光谱的强度最大，这种现象称为闪耀，这种光栅称为闪耀光栅。闪耀光栅具有分光、滤光等功能，被广泛用于超精密测量系统、光谱仪、半导体激光器、显示技术和其他技术领域内。

[0003]现有的闪耀光栅