CN115411177B 斯格明子的核磁化翻转方法及使用该方法的数据存储设备 （首尔大学校产学协力团）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115411177B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202111091288.4

(22)申请日2021.09.17

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115411177A

(43)申请公布日2022.11.29

(30)优先权数据

10-2021-00694212021.05.28KR

(73)专利权人首尔大学校产学协力团地址韩国首尔市

专利权人三星电子株式会社

(72)发明人金相国梁在鹤宋胤宗李吉镐金俊会

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师张婧

(51)Int.CI.

H10N52/80(2023.01)

H10N52/01(2023.01)

H10N59/00(2023.01)

(56)对比文件

JinshuaiWang等.Rapidcreationand

reversalofskyrmioninspin-valve

nanopillars.JournalofMagnetismand

MagneticMaterials.2019,第474卷第472页第1栏第1段至第476页第1栏第1段，图1-5.

RobertStreubel等.Magnetismincurved

geometries.J.Phys.D:Appl.Phys..2016,

第49卷第1页第1栏第1段至第39页第1栏第1段，图1-46.

JinshuaiWang等.Rapidcreationand

reversalofskyrmioninspin-valve

nanopillars.JournalofMagnetismand

MagneticMaterials.2019,第474卷第472页第1栏第1段至第476页第1栏第1段，图1-5.

审查员王小峰

权利要求书1页说明书8页附图17页

(54)发明名称

斯格明子的核磁化翻转方法及使用该方法的数据存储设备

(57)摘要

CN115411177B一种核磁化翻转方法包括通过向第一磁性斯格明子施加第一交流(AC)磁场将所述第一磁性斯格明子变换成斯格明子纹理，并且然后通过向斯格明子纹理施加第二AC磁场将斯格明子纹理变换成第二磁性斯格明子。第一磁性斯格明子可以在半球形壳体上形成，该半球形壳体可以通过以下方式形成：(i)制备具有多个突起的膜，以及(ii)在所述膜上堆叠包括铂(Pt)、镍(Ni)、或钯(Pd)中的至少一种的第一层和包括铁磁材料的第二层。第一AC磁场和第二

CN115411177B

斯格明子(上核)

斯格明子(上核)(s=+1)

斯格明子(下核)(s=-1)

(s=0)

AC场激发AC场激发

H?=H,sin(2rfì)H?=Hosin(2πfi)

CN115411177B权利要求书1/1页

2

1.一种核磁化翻转方法，所述方法包括：

通过向第一磁性斯格明子施加第一交流AC磁场将第一磁性斯格明子变换成斯格明子纹理；以及

通过向斯格明子纹理施加相对于第一AC磁场具有不等频率的第二AC磁场将斯格明子纹理变换成第二磁性斯格明子，

其中，第一磁性斯格明子在半球形壳体上形成；并且半球形壳体通过以下方式形成：

制备具有多个突起的膜；以及

在所述膜上堆叠包括铂Pt、镍Ni、或钯Pd中的至少一种的第一层和包括铁磁材料的第二层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，制备所述膜的步骤包括在多孔膜上放置球形颗粒。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，半球形壳体的直径在大于Onm到100nm的范围内。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，当半球形壳体的曲率增加时，第一磁性斯格明子的稳定性增加。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，第一磁性斯格明子具有+1的斯格明子数，第二磁性斯格明子具有-1的斯格明子数，并且斯格明子纹理具有0的斯格明子数。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，与所述方法相关联的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用DMI常数大于或等于0mJ/m2并且小于或等于3.0mJ/m2。