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FD250R65KE3-K
高绝缘等级模块
高绝缘等级模块采用第三代沟槽栅/场终止IGBT3和第三代发射极控制二极管
特性
•电气特性
-VCES=6500V
-ICnom=250A/ICRM=500A
-低VCEsat
•机械特性
-碳化硅铝(AlSiC)基板提供更高的温度循环能力
-扩大存储温度范围至Tstg=-55°C
-高爬电距离和电气间隙
-加强绝缘封装，10.4kV交流60秒
-封装的CTI600
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