原创力文档FF450R45T3E4_B5
XHP™3模块
XHP™3模块采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第四代发射极控制二极管
特性
•电气特性
-VCES=4500V
-ICnom=450A/ICRM=900A
-高动态稳定性
-低VCEsat
-沟槽栅IGBT4
•机械特性
-封装的CTI600
-碳化硅铝(AlSiC)基板提供更高的温度循环能力
-高爬电距离和电气间隙
-外壳材料符合EN45545-2
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