CN111650428B 磁传感芯片、闭环反馈电流传感器及其制备方法 （珠海多创科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111650428B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202010495259.3

(22)申请日2020.06.03

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111650428A

(43)申请公布日2020.09.11

(73)专利权人珠海多创科技有限公司

地址519000广东省珠海市高新区唐家湾

镇科技七路1号4栋5-B单元

(72)发明人刘明关蒙萌黄豪胡忠强朱家训

(74)专利代理机构广东朗乾律师事务所44291专利代理师杨焕军

(51)Int.CI.

G01R19/32(2006.01)

G01R15/20(2006.01)

(56)对比文件

CN212568937

US2012306491

CN110426552

CN207908572

审查员朱刘路

权利要求书2页

U,2021.02.19

A1,2012.12.06A,2019.11.08

U,2018.09.25

说明书6页附图3页

(54)发明名称

磁传感芯片、闭环反馈电流传感器及其制备

方法

(57)摘要

CN111650428B磁传感芯片、闭环反馈电流传感器及其制备方法，该闭环反馈电流传感器包括：外壳；设置于外壳内的磁传感芯片和信号处理电路，磁传感芯片包括由磁电阻元件组成的磁传感单元、设置于磁传感单元上方的反馈线圈，反馈线圈为由导电材料刻蚀而成的平面螺旋线结构，螺旋线平面和磁传感单元的敏感方向相垂直；信号处理电路包括磁平衡电路和电流采样电路，磁传感芯片通过输入端子与电源相连，通过输出端子与磁平衡电路相连；磁平衡电路与反馈线圈相连，向反馈线圈提供电流，使反馈线圈产生反馈磁场；电流采样电路与反馈线圈相连，采集反馈线圈的电流信号并输出。本发明将磁电阻元件和反馈线圈集成

CN111650428B

CN111650428B权利要求书1/2页

2

1.磁传感芯片，其特征在于，包括：由磁电阻元件组成的磁传感单元、设置于所述磁传感单元上方的反馈线圈，所述反馈线圈为由导电材料刻蚀而成的平面螺旋线结构，所述反馈线圈的螺旋线平面和所述磁传感单元的敏感方向相垂直；

所述磁传感芯片包括基底，所述基底上沉积下电极层、钉扎层、非磁层和自由层，并刻蚀出磁电阻元件区域和热敏电阻区域，所述热敏电阻区域位于所述下电极层，所述下电极层为钌金属层或电极层中有钌金属，所述热敏电阻区域形成热敏电阻，所述热敏电阻为钌

电阻。

2.如权利要求1所述的磁传感芯片，其特征在于：所述磁电阻元件为TMR单元或GMR单元或AMR单元。

3.如权利要求1所述的磁传感芯片，其特征在于：所述磁电阻元件桥式连接形成全桥结构的磁传感单元。

4.一种闭环反馈电流传感器，其特征在于，包括：

外壳；

设置于所述外壳内的磁传感芯片，所述磁传感芯片为权利要求1至3任一项所述的磁传感芯片；

设置于所述外壳内的信号处理电路，所述信号处理电路包括磁平衡电路和电流采样电路，所述磁传感芯片通过输入端子与电源相连，通过输出端子与所述磁平衡电路相连；所述磁平衡电路与所述反馈线圈相连，向所述反馈线圈提供电流，使反馈线圈产生反馈磁场；所述电流采样电路与所述反馈线圈相连，采集所述反馈线圈的电流信号并输出。

5.如权利要求4所述的闭环反馈电流传感器，其特征在于：所述信号处理电路还包括第一模数转换器、数模转换器、第二模数转换器以及微控制处理器；所述微控制处理器通过所述第一模数转换器与所述磁传感单元相连，通过所述数模转换器与所述磁平衡电路相连，通过所述第二模数转换器与所述电流采样电路相连。

6.如权利要求4或5所述的闭环反馈电流传感器，其特征在于：还包括与所述热敏电阻相连的温度补偿电路；所述反馈线圈与所述温度补偿电路相连，向所述温度补偿电路输出电流信号，所述温度补偿电路用于根据所述热敏电阻和所述反馈线圈输出的信号对检测结果进行补偿后输出。

7.如权利要求4所述的闭环反馈电流传感器，其特征在于：还包括与所述热敏电阻相连的温度补偿电路；所述反馈线圈与所述温度补偿电路相连，向所述温度补偿电路输出电流信号，所述温度补偿电路用于根据所述热敏电阻和所述反馈线圈输出的信号对检测结果进行补偿后输出；

所述磁平衡电路包括依次连接的差分电压采样电路和推挽射极跟随器，所述差分电压采样电路与所述磁传感单元相连，所述推挽射极跟随器与所述反馈线圈相