基于物理建模的 SiC MOSFET 器件设计与性能分析.pdfVIP

Vol.41,No.8第41卷第8期

August,2025ITREPORT2025年8月

基于物理建模的SiCMOSFET器件设计与性能分析

雷旺

（英铂科学仪器（上海）有限公司，上海201600）

摘要：文章基于物理建模方法，结合漂移扩散模型和界面陷阱模型，在SentaurusTCAD平台上建立了SiCMOSFET的二

维器件结构，并对关键几何参数、热边界条件和电气边界条件进行了设定。通过器件制备、实验测试和模型对比分析，获得了击

穿电压、阈值电压、导通电阻及开关损耗等性能数据。仿真结果与实测结果高度一致，验证了建模方法的准确性。研究结果为SiC

MOSFET在高频、高温功率电子领域的优化设计提供了理论基础与实验依据，具有重要的工程应用价值。

关键词：SiCMOSFET；物理建模；二维仿真；热特性；电学性能

F270.7;TP311.13A

中图分类号：文献标志码：文章编号：1672-4739（2025）08-0104-03

DesignandPerformanceAnalysis

ofSiCMOSFETBasedonPhysicalModeling

LEIWang

（InboScientificInstruments(Shanghai)Co.,Ltd.,Shanghai201600,China）

Abstract：Thispaperestablishesatwo-dimensional(2D)devicestructureforSiCMOSFETusingtheSentaurusTCAD

platform,integratingphysicalmodelingmethodswiththedrift-diffusionmodelandinterfacetrapmodel.Keygeometric

parameters,thermalboundaryconditions,andelectricalboundaryconditionsareconfigured.Throughdevicefabrication,

experimentaltesting,andcomparativeanalysisofthemodel,performancemetricssuchasbreakdownvoltage,threshold

voltage,on-resistance,andswitchinglossesareobtained.Thesimulationresultsshowhighconsistencywithexperimental

measurements,validatingtheaccuracyoftheproposedmodelingapproach.Theresearchfindingsprovideatheoreticalfoundation

andexperimentalbasisfortheoptimizeddesignofSiCMOSFETsinhigh-frequencyandhigh-temperaturepowerelectronics

applications,demonstratingsignificantengineeringvalue.

Keywords：SiCMOSFET;physicalmodeling;2Dsimulation;thermalcharacteristics;electricalperforman