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半导体光电子器件;
半导体发光器件
·§6.1半导体发光二极管(LED)的结构·§6.2白光LED
·§6.3LED的性能
·§6.4LED的封装与应用
·§6.5半导体激光器的工作机制
·§6.6半导体激光器的工作条件
·§6.7半导体激光器的主要参数
·§6.8异质结半导体激光器;
§6.1半导体发光二极管(LED)结构
LED、Laser基本结构与特点:
结构:半导体二极管(pn结);
特点:单色性好,
LED:10~50nm;
Laser:0.01~0.1nm
LED与Laser区别:
LED:自发发射,产生非相干光;
Laser:受激发射,产生相干光。;
§6.1半导体发光二极管(LED)结构
一、LED优势
1907年,HenryJosephRound第一次在一块碳化硅里观察到电致发光
现象。
1936年,GeorgeDestiau的一份关于硫化锌粉末发射光的报告。随着电
流的应用和广泛的认识,最终出现了”电致发光”这个术语。
1955年,美国无线电公司(RadioCorporationofAmerica)的Rubin
Braunstein发现了砷化镓(GaAs)与及其他半导体合金的红外线放射作用
1962年,GE、Monsanto、IBM的联合实验室开发出了发655nm红光的
磷砷化镓(GaAsP)半导体化合物,从此发光二极管进入商业化发展进程。;
§6.1半导体发光二极管(LED)结构
一、LED优势
1965年,Monsanto和惠普公司推出了用GaAsP材料制作的商用化红色
LED,当时这种LED灯的效率为每瓦大约0.1流明。
1968年,LED灯的研发取得了突破性进展,利用氮掺杂工艺使GaAsP器
件的效率达到了1流明/瓦,LED节能灯并且能够发出红光、橙光和黄色光。1971年,推出了具有相同效率的GaP绿色芯片LED,LED开始广泛应用
于数字与文字显示技术应用领域区。;
§6.1半导体发光二极管(LED)结构
一、LED优势
1980年代早期的技术突破是开发出了AIGaAs的LED,能以每瓦10流明
的发光效率发出红光。LED灯开始应用于室外信息发布以及汽车高位刹车灯(CHMSL)设备。
1990年,开发出了能够提供相当于最好的红色器件性能的AllnGaP技术,这比当时标准的GaAsP器件性能要高出10多倍。
1994年,日本科学家中村修二在InGaN(氮化铟镓)基片上研制出了第一只蓝色LED,由此开启了GaN基LED灯研究和开发热潮,蓝光的出现使得
白光LED成为可能。;
§6.1半导???发光二极管(LED)结构
一、LED优势
与普通照明方式相比,LED具有如下的优势。
效率高
按一般光效定义的LED的发光效率并不算高,但由于LED的光谱几乎全部集中于可见光区域,效率可达到80%-90%,而自炽灯的可见光转换效率仅为10%-20%,普通节能灯只有40%-50%左右。一般LED在相同的照明效果下比传统光源节能80%以上。
寿命长
LED为固体冷光源,环氧树脂封装,抗震动,灯体内也没有松动的部
分,不存在普通灯丝发光发热易烧、热沉积、光衰等缺点,使用寿命可高达6万~10万小时,是传统光源使用寿命的10倍以上。由于寿命长,经久耐用,减少了维护和更换的费用,降低了成本。;
§6.1半导体发光二极管(LED)结构
一、LED优势
绿色环保
其废弃物不像荧光灯含汞;废弃物可回收,没有污染,不含汞元素,可以安全触摸,属于典型的绿色照明光源。而且LED为冷光源,眩光小,无辐射,使用中不产生有害物质,光谱中没有紫外线和红外线。
光色纯,光线质量高
传统照明光源的光谱较宽,且发光方向为整个立体空间,不利于配光和光线的有效利用相比;LED为单一颜色、光谱狭窄、谱线单一集中在可见光波段、色彩丰富、鲜艳,可以有多样化的色调选择和配光,且LED光源发光大部分集中会聚于中心,发散角较小,可以有效地控制眩光,从而简化灯具结构,节省设计和制造成本。;
§6.1半导体发光二极管(LED)结构
一、LED优势
应用灵活
体积小,便于造型,可做成点、线、面等各种形式。
安全
单体工作电压为1.5-5v,工作电流为20-70mA。
响应快
响应时间为纳秒级,自炽灯的响应时间为毫秒级。
控制灵活
通过控制电路很容易调控亮度,实现多样的动态变化效果。;
二、LED结构原理
发光二极管是一种利用自发辐射制成的器件,它往往具有连续波谱。光
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