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第45卷第7期电子与信息学报Vol.45No.7

2023年7月JournalofElectronicsInformationTechnologyJul.2023

惠普忆阻电路的线性叠加分析

丁芝侠黄莎莉李赛杨乐*

(武汉工程大学电气信息学院武汉430205)

摘要：基于惠普(HP)忆阻器的元件特性，该文分析了惠普忆阻器的数学关系式，惠普忆阻元件的内部状态变量

与忆阻阻值之间存在增量线性关系，在外加电压下惠普忆阻器阻值的变化可叠加，得出了惠普忆阻电路具有线性

叠加性的结论。通过PSpice电路仿真验证上述结论的有效性和正确性，为叠加定理在含惠普忆阻器及线性元件的

线性电路中的使用提供了理论分析支撑。

关键词：惠普忆阻电路；惠普忆阻器；增量线性；叠加定理；PSpice仿真

中图分类号：TN601文献标识码：A文章编号：1009-5896(2023)07-2659-08

DOI:10.11999/JEIT220733

LinearSuperpositionAnalysisofHPMemristorCircuits

DINGZhixiaHUANGShaliLISaiYANGLe

(SchoolofElectricalandInformationEngineering,WuhanInstituteofTechnology,Wuhan430205,China)

Abstract:BasedonthecomponentcharacteristicsofHewlettPackard(HP)memristor,themathematical

relationshipformulaofHPmemristorisanalyzed.Thereisanincrementallinearrelationshipbetweenthe

internalstatevariablesofHPmemristorcomponentsandthevalueofmemristor.Thechangeofthevalueof

HPmemristorcanbesuperimposedunderappliedvoltage,andtheconclusionisdrawnthatHPmemristor

circuithaslinearsuperposition.ThevalidityandcorrectnessoftheaboveconclusionsareverifiedbyPSpice

circuitsimulation,whichprovidestheoreticalanalysissupportfortheuseofthesuperpositiontheoreminlinear

circuitscontainingHPmemristorsandlinearcomponents.

Keywords:HewlettPackard(HP)memristorcircuit;HPmemristor;Incrementallinear;Superpositiontheorem;