CN113224150B 开关元件、半导体装置、半导体装置的制造方法 （三菱电机株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113224150B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202110510096.6

(22)申请日2013.09.09

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113224150A

(43)申请公布日2021.08.06

(62)分案原申请数据

201380079465.42013.09.09

(73)专利权人三菱电机株式会社地址日本东京

(72)发明人长谷川滋森下和博木谷刚

(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112

专利代理师何立波张天舒

(51)Int.CI.

H10D64/27(2025.01)

H01L23/64(2006.01)

H10D62/83(2025.01)

H10D62/85(2025.01)

H10D84/40(2025.01)

H10D12/00(2025.01)

H10D30/60(2025.01)

H10D84/03(2025.01)

H01L21/52(2006.01)

H01L21/66(2006.01)

(56)对比文件

US6465850B1,2002.10.15

审查员梁健

权利要求书2页说明书6页附图5页

(54)发明名称

开关元件、半导体装置、半导体装置的制造

方法

(57)摘要

CN113224150B10一种开关元件、半导体装置、半导体装置的制造方法。本发明涉及的开关元件的特征在于，具有：衬底；第1栅极焊盘，其形成在该衬底；第2栅极焊盘，其形成在该衬底；第1电阻部，其形成在该衬底，将该第1栅极焊盘与该第2栅极焊盘连接；以及单元区域，其形成在该衬底，与该第1栅极焊盘连接。由此，在完成栅极电阻内置型的开

CN113224150B

10

CN113224150B权利要求书1/2页

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1.一种开关元件，其与其它开关元件并联连接，对电流的导通和截止进行切换，特征在于，具有：

半导体衬底；

第1栅极焊盘，其形成在所述半导体衬底且能够连接导线；

第2栅极焊盘，其形成在所述半导体衬底且能够连接导线；

第1电阻部，其形成在所述半导体衬底，将所述第1栅极焊盘与所述第2栅极焊盘连接；以及

单元区域，其形成在所述半导体衬底，与所述第1栅极焊盘连接，

所述第1电阻部是内置于开关元件的片上电阻，

所述第1电阻部具有高电阻层。

2.根据权利要求1所述的开关元件，其特征在于，具有：

第3栅极焊盘，其形成在所述半导体衬底；以及

第2电阻部，其形成在所述半导体衬底，将所述第2栅极焊盘与所述第3栅极焊盘连接。

3.根据权利要求1或2所述的开关元件，其特征在于，具有：

第1附加栅极焊盘，其形成在所述半导体衬底；以及

第1附加电阻部，其形成在所述半导体衬底，将所述第1栅极焊盘与所述第1附加栅极焊盘连接。

4.根据权利要求3所述的开关元件，其特征在于，具有：

第2附加栅极焊盘，其形成在所述半导体衬底；以及

第2附加电阻部，其形成在所述半导体衬底，将所述第2附加栅极焊盘与所述第1附加栅极焊盘连接。

5.根据权利要求1或2所述的开关元件，其特征在于，

所述第1栅极焊盘位于所述单元区域的外侧，

该开关元件具有连接部，该连接部形成在所述半导体衬底，将所述第1栅极焊盘与所述单元区域连接。

6.根据权利要求5所述的开关元件，其特征在于，

所述连接部由配线形成。

7.根据权利要求5所述的开关元件，其特征在于，

所述连接部由电阻部分形成。

8.根据权利要求1或2所述的开关元件，其特征在于，具有：

包含所述第1栅极焊盘以及所述第2栅极焊盘的多个栅极焊盘；以及

包含所述第1电阻部的多个电阻部，其将所述多个栅极焊盘连接，以使得所述多个栅极焊盘全部与所述第1栅极焊盘电连接，

所述多个栅极焊盘以包围所述单元区域的方式形成。

9.根据权利要求1或2所述的开关元件，其特征在于，

所述第1栅极焊盘形成在所述单元区域内。

10.根据权利要求1或2所述的开关元件，其特征在于，

所述半导体衬底由宽带隙半导体形成。

11.根据权利要求10所述的开关元件，其特征在于，

CN113224150B权利要求书2/2页

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所述宽带隙半导体为碳化硅、氮化镓类材料