CN111941251B 一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法 （上海新昇半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111941251B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202010659738.4

(22)申请日2020.07.08

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111941251A

(43)申请公布日2020.11.17

(56)对比文件

CN212601122U,2021.02.26

US5558563A,1996.09.24

CN101234481A,2008.08.06

审查员田瑶

(73)专利权人上海新昇半导体科技有限公司

地址201306上海市浦东新区临港新城云

水路1000号

(72)发明人沙酉鹤谢越

(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所

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专利代理师高伟

(51)Int.CI.

B24B29/02(2006.01)

B24D13/14(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图7页

(54)发明名称

一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法

(57)摘要

CN111941251B本发明提供一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法，所述抛光垫包括与硅片接触的抛光面，所述抛光面开设有至少一个凹槽，所述凹槽的开槽位置使得在对硅片进行抛光时，所述硅片的边缘至少部分悬空在所述凹槽的上方。根据本发明的抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法可以在保持整片的抛光速率基本不变的情况下，只降

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CN111941251B权利要求书1/1页

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1.一种抛光垫，用于对硅片进行抛光，其特征在于，所述抛光垫包括与硅片接触的抛光面，所述抛光面开设有至少一个凹槽，所述凹槽的开槽位置使得在对硅片进行抛光时，所述硅片的边缘至少部分悬空在所述凹槽的上方；

所述凹槽包括靠近所述抛光垫外围的第一环形槽与靠近所述抛光垫中心的第二环形槽，所述第一环形槽的内沿与所述第二环形槽的外沿之间的距离小于硅片的直径，所述第一环形槽的外沿与所述第二环形槽的内沿之间的距离大于硅片的直径；

所述第一环形槽的内沿与硅片的边缘之间的距离为2mm至4mm,所述第二环形槽的外沿与硅片的边缘之间的距离为2mm至4mm;

所述抛光垫还包括开设在所述抛光面的一个或多个排液槽，所述排液槽一端连通所述第二环形槽，贯穿第一环形槽，另一端连通所述抛光垫的边缘，以用于排出所述凹槽中的抛光液。

2.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述抛光垫、所述第一环形槽和所述第二环形槽同心设置。

3.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述第一环形槽的宽度为3mm～8mm,深度为0.5mm～2mm,外沿半径为335mm～340mm,内沿半径为330mm～335mm。

4.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述第二环形槽的宽度为3mm～8mm,深度为0.5mm～2mm,外沿半径为35mm～45mm,内沿半径为30mm～40mm。

5.一种抛光设备，用于对硅片进行抛光，其特征在于，所述抛光设备包括：

如权利要求1-4之一所述的抛光垫；

抛光垫驱动装置，所述抛光垫设置于所述抛光垫驱动装置上，抛光垫驱动装置用于驱动所述抛光垫转动；

抛光头，用于固定硅片，使得所述硅片的正面与所述抛光垫接触，并使所述硅片的边缘悬空在所述抛光垫的凹槽上方。

6.一种硅片的抛光方法，其特征在于，包括：

通过抛光头固定待抛光的硅片；

由所述抛光头带动所述硅片，使所述硅片的正面接触权利要求1-4中任一项所述的抛光垫的抛光面，并使所述硅片的边缘位置悬空在所述抛光垫抛光面的凹槽上方；

驱动抛光头和抛光垫转动，以由所述抛光垫对所述硅片的正面进行抛光。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述抛光垫与所述抛光头同向转动。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

通过控制所述抛光头运动来调整所述硅片的边缘与所述凹槽接触的面积，从而调整所述硅片边缘位置的抛光速率。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述控制所述抛光头运动包括：

控制所述抛光头沿