CN115863531B 一种干法电极膜再生利用方法 （上海联净电子科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115863531B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202211573480.1

(22)申请日2022.12.08

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115863531A

(43)申请公布日2023.03.28

H01M10/54(2006.01)

(56)对比文件

CN102629681A,2012.08.08

CN103093969A,2013.05.08

审查员段雅静

(73)专利权人上海联净电子科技有限公司

地址201100上海市闵行区梅富路37号15

幢2楼A区

(72)发明人贾奎涂伯乐杨胜贤文潇

(74)专利代理机构北京维正专利代理有限公司

11508

专利代理师崔颖

(51)Int.CI.

H01M4/04(2006.01)

H01M4/139(2010.01)权利要求书1页说明书6页附图1页

(54)发明名称

一种干法电极膜再生利用方法

(57)摘要

CN115863531B本申请涉及锂离子电池电极膜技术领域，具体涉及一种干法电极膜再生利用方法，包括：将回收材料在第一预设温度下冻结成固态，再进行真空干燥处理；将物料在第二预设温度下进行低温粗粉碎，第二预设温度大于第一预设温度；将物料在第三预设温度下进行低温气流粉碎，获得再生粉体；将再生粉体与新粉体混合作为制备原料，以干法电极膜的制备工艺制备干法电极膜；第一预设温度、第二预设温度及第三预设温度均小于0℃。本申请通过将干法电极膜压延成膜后修剪的边角料通过回收处理，可与新粉体混合来

CN115863531B

问题。

CN115863531B权利要求书1/1页

2

1.一种干法电极膜再生利用方法，其特征在于，将干法电极粉体压延成膜后的修剪部分作为回收材料进行再生利用，包括如下步骤：

步骤S10,将所述回收材料在第一预设温度下冻结成固态，再进行真空干燥处理；

步骤S20,将所述步骤S10中所获得的物料在第二预设温度下进行低温粗粉碎，所述第二预设温度大于所述第一预设温度；

步骤S30,将所述步骤S20中所获得的物料在第三预设温度下进行低温气流粉碎，获得再生粉体；

步骤S40,将所述步骤S30中所获得的再生粉体与新粉体混合作为制备原料，以干法电极膜的制备工艺制备干法电极膜；

其中，所述第一预设温度、所述第二预设温度及所述第三预设温度均小于0℃;

所述步骤S40中所述新粉体包括如下重量份的组分：

活性物质91~95.7份，

导电剂3~6份，

分散剂0.3~0.5份，

粘结剂1~2.5份。

2.根据权利要求1所述的干法电极膜再生利用方法，其特征在于，所述回收材料来源的粉体中各成分的配比与所述新粉体中各成分的配比一致。

3.根据权利要求1所述的干法电极膜再生利用方法，其特征在于，所述步骤S10中的第一预设温度为-20～-10℃,真空干燥处理的真空度为0.1~130Pa。

4.根据权利要求1所述的干法电极膜再生利用方法，其特征在于，所述步骤S20中的第二预设温度为-10～0℃;所述步骤S30中的第三预设温度为-10～0℃,所述第二预设温度和所述第三预设温度不为0℃。

5.根据权利要求1所述的干法电极膜再生利用方法，其特征在于，所述步骤S40中所述再生粉体与新粉体的质量比为3-6:4-7。

6.根据权利要求1所述的干法电极膜再生利用方法，其特征在于，所述粘结剂为含氟聚合物。

7.根据权利要求6所述的干法电极膜再生利用方法，其特征在于，所述分散剂为纳米氧化镁、气相二氧化硅或气相三氧化二铝。

8.根据权利要求6所述的干法电极膜再生利用方法，其特征在于，所述步骤S40中，所述制备工艺包括：

步骤S41,将所述活性物质、所述导电剂以及所述分散剂进行第一次预混处理；

步骤S42,将所述步骤S41所获得的物料与所述再生粉体进行第二次预混处理；

步骤S43,向所述步骤S42所获得的物料中添加粘结剂，再进行第三次预混处理；

步骤S44,对所述步骤S43所获得的物料进行保温处理；

步骤S45,对所述步骤S44所获得的物料进行纤维化处理，获得可制备干法电极膜的粉体。

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