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电子与封装

第25卷，第7期总第267期

Vol.25,No.7ELECTRONICSPACKAGING2025年7月

“玻璃通孔技术进展和应用”专题

降低玻璃基板TGV应力的无机缓冲层方法与仿真分析

赵泉露，赵静毅，丁善军，王启东，陈，于中尧

（中国科学院微电子研究所，北京100029）

摘要：玻璃基板凭借其优异的机械性能和较高的平整度等优势成为了先进封装的关键材料。提出

了在玻璃基板TGV玻璃和铜之间烧结无机缓冲层的方案来降低玻璃芯板的应力，为了与后续化学镀

金属化的工艺兼容，仿真分析了ZnO、TiO2、ZrO23种无机缓冲层对玻璃芯板应力的影响，同时探究

了缓冲层厚度、玻璃芯板厚度以及TGV孔径对玻璃芯板应力的影响。结果表明，该方案相比纯铜填

充的TGV可以有效降低叠层升温过程中玻璃芯板的应力，其中烧结5μm的TiO2玻璃芯板应力降低

了66.58%。同时缓冲层越厚、TGV孔径越小，玻璃基板TGV升温过程玻璃芯板的应力越小，此结

果可为降低玻璃基板TGV的应力提供重要参考。

关键词：无机缓冲层；TGV金属化；玻璃基板；热应力；有限元仿真

中图分类号：TN305.94文献标志码：A文章编号：1681-1070（2025）07-070108

D0I:10.16257/ki.1681-1070.2025.0159

中文引用格式：赵泉露，赵静毅，丁善军，等.降低玻璃基板TGV应力的无机缓冲层方法与仿真分析[].电子与

封装，2025,25（7）：070108.

英文引用格式：ZHAOQuanlu,ZHAOJingyi,DINGShanjun,etal.Methodandsimulationanalysisofinorganic

bufferlayerforreducingTGVstressinglasssubstrate[JJ.ElectronicsPackaging,2025,25(7):070108.

MethodandSimulationAnalysisofInorganicBufferLayerfor

ReducingTGVStressinGlassSubstrate

ZHAOQuanlu,ZHAOJingyi,DINGShanjun,WANGQidong,CHENChuan,YUZhongyao

(InstituteofMicroelectronics,ChineseAcademyofSciences,Beijing100029,China)

Abstract:Glasssubstratehasemergedasakeymaterialforadvancedpackagingduetoitssuperior

mechanicalpropertiesandhighflatness.Toreducetheglasscorestress,aschemeofsinteringaninorganic

bufferlayerbetweentheTGVglassandcopperontheglasssubstrateisproposed.Toensurecompatibility

withsubsequentelectrolessmetallizationprocesses,simulationanalysisisconductedtoanalyzetheeffectsof

threetypesofinorganicbufferlayers,namelyZnO,TiO2,andZrO2,onthes