CN117855145B 自对准晶体管的源漏互连方法、自对准晶体管及器件 （北京大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN117855145B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202311694549.0

(22)申请日2023.12.11

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN117855145A

H01L23/538(2006.01)

(56)对比文件

CN117116942A,2023.11.24审查员宗梦雅

(43)申请公布日2024.04.09

(73)专利权人北京大学

地址100871北京市海淀区颐和园路5号

(72)发明人吴恒王润声黎明卢浩然孙嘉诚黄如

(74)专利代理机构北京善任知识产权代理有限公司11650

专利代理师纪晓萌孟桂超

(51)Int.CI.

H10D84/85(2025.01)

H10D84/03(2025.01)权利要求书2页说明书15页附图13页

(54)发明名称

自对准晶体管的源漏互连方法、自对准晶体管及器件

(57)摘要

CN117855145B本申请提供一种自对准晶体管的源漏互连方法、自对准晶体管及器件，上述方法包括：在半导体衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，依次形成第一源漏结构、第一层间介质层和第一源漏金属，第一层间介质层包裹第一有源结构、第一源漏结构和第一源漏金属；倒片并去除半导体衬底；基于第二有源结构，依次形成第二源漏结构、第二层间介质层和第二源漏金属，第二层间介质层包裹第二有源结构、第二源漏结构和第二源漏金属；其中，第一源漏金属和第二源漏金属通过互连通孔结构连通，互连通孔结构贯穿第一

CN117855145B

度。

在半导体衬底上形成有源结构

基于第一有源结构，依次形成第一源漏结构、第一层间介质层和第一源[漏金属

倒片并去除半导体衬底

基于第二有源结构，依次形成第二源漏结构、第二层间介质层和第二源[漏金属

S101

S102

S103

S104

CN117855145B权利要求书1/2页

2

1.一种自对准晶体管的源漏互连方法，其特征在于，所述方法包括：

在半导体衬底上形成有源结构，所述有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；

基于所述第一有源结构，依次形成第一源漏结构、第一层间介质层和第一源漏金属，所述第一层间介质层包裹所述第一有源结构、所述第一源漏结构和所述第一源漏金属；

倒片并去除所述半导体衬底；

基于所述第二有源结构，依次形成第二源漏结构、第二层间介质层和第二源漏金属，所述第二层间介质层包裹所述第二有源结构、所述第二源漏结构和所述第二源漏金属；

其中，所述第一源漏金属和所述第二源漏金属通过互连通孔结构连通，所述互连通孔结构贯穿所述第一层间介质层和所述第二层间介质层；

所述基于所述第一有源结构，依次形成第一源漏结构、第一层间介质层和第一源漏金属，包括：刻蚀所述第一有源结构的一部分，以形成所述第一源漏结构；在所述第一有源结构和所述第一源漏结构上沉积半导体材料，以形成第一层间介质层；刻蚀所述第一层间介质层的第一部分，以形成所述第一源漏金属；刻蚀所述第一层间介质层的第二部分，以形成第一互连通孔结构，所述第一互连通孔结构与所述第一源漏金属连接；

所述刻蚀所述第一层间介质层的第二部分，以形成第一互连通孔结构，包括：刻蚀所述第一层间介质层的第二部分，以形成槽形孔，其中，刻蚀深度低于所述第一源漏结构的外延；在所述槽形孔中沉积金属材料，以形成所述第一互连通孔结构；

所述互连通孔结构位于所述有源结构的一侧；或，所述互连通孔结构位于所述有源结构的两侧；或，所述互连通孔结构位于所述有源结构的中间。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第二有源结构，依次形成第二源漏结构、第二层间介质层和第二源漏金属，包括：

刻蚀所述第二有源结构的一部分，以形成所述第二源漏结构；

在所述第二有源结构和所述第二源漏结构上沉积半导体材料，以形成第二层间介质层；

刻蚀所述第二层间介质层的第一部分，以形成第二源漏金属；

刻蚀所述第二层间介质层的第二部分，直至与所述第一互连通孔结构连通，以形成第二互连通孔结构，所述第二互连通孔结构与所述第一互连通孔结构组成所述互连通孔结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述倒片并去除所述