CN117855276B 一种具有结控二极管的沟槽mosfet器件及其制备方法 （湖北九峰山实验室）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN117855276B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202311675872.3

(22)申请日2023.12.06

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN117855276A

(43)申请公布日2024.04.09

(73)专利权人湖北九峰山实验室

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区九龙湖街9号

(72)发明人陈伟郭飞袁俊成志杰吴阳阳王宽

(74)专利代理机构武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙)42242

专利代理师张文静

(51)Int.CI.

H10D30/60(2025.01)

H10D62/13(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D64/23(2025.01)

H10D64/62(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D64/01(2025.01)

H10D84/40(2025.01)

H10D8/20(2025.01)

(56)对比文件

CN114678425A,2022.06.28

审查员靳苹苹

权利要求书2页说明书8页附图15页

(54)发明名称

一种具有结控二极管的沟槽MOSFET器件及其制备方法

(57)摘要

CN117855276B本发明提供一种具有结控二极管的沟槽MOSFET器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该器件由下至上包括依次层叠设置的漏极、衬底、外延层和源极；外延层表面设置有P阱区和源极N+区，P阱区位于源极N+区下方；外延层内还设置有呈多级阶梯状的源极沟槽和栅极沟槽。栅极沟槽内壁沉积有栅极介质层，其内部填充有第一填充介质作为栅极。栅极沟槽的开口处盖设有用于隔开栅极和源极的层间介质层。源极沟槽的内壁沉积有源极介质层，其内部填充有第二填充介质。源极沟槽的侧壁和底部设置有源极P+区。源极N+区与源极之间设置有欧姆接触金属

CN117855276B

-14截面A

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CN117855276B权利要求书1/2页

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1.一种具有结控二极管的沟槽MOSFET器件，其特征在于，由下至上包括依次层叠设置的漏极、衬底、外延层和源极；所述外延层背离所述衬底一侧的表层中设置有P阱区和源极N+区，所述P阱区位于所述源极N+区下方；所述外延层内设置有多个栅极沟槽和多个源极沟槽；每个所述栅极沟槽内壁沉积有栅极介质层，其内部填充有第一填充介质作为栅极；每个所述栅极沟槽的开口处盖设有用于隔开所述栅极和所述源极的层间介质层；每个所述源极沟槽为呈阶梯状的多级沟槽，其阶梯数n≥2且n为整数；每个所述源极沟槽的侧壁和底部通过离子注入形成有源极P+区；每个所述源极沟槽的内壁沉积有源极介质层，其内部填充有第二填充介质；所述源极N+区与所述源极之间设置有欧姆接触金属层；所述P阱区布满所述外延层背离所述衬底一侧的表层，所述源极介质层的材料为所述欧姆接触金属层的金属，至少一个所述源极沟槽的至少一个子沟槽的侧壁未被所述源极P+区完全屏蔽，在未被屏蔽的区域设置有N+导流区。

2.根据权利要求1所述的具有结控二极管的沟槽MOSFET器件，其特征在于，在每个所述源极沟槽的底部的所述源极P+区的正下方形成有所述N+导流区。

3.根据权利要求1所述的具有结控二极管的沟槽MOSFET器件，其特征在于，所述栅极沟槽为长条形结构，沿所述栅极沟槽延伸的方向，所述源极沟槽间隔排列；沿所述源极至所述漏极的方向上，所述P阱区设置于所述外延层一侧的表层中，至少一个所述源极沟槽设置在所述外延层中另一侧未设置所述P阱区的区域。

4.根据权利要求3所述的具有结控二极管的沟槽MOSFET器件，其特征在于，所述源极介质层的材料为所述欧姆接触金属层的金属，至少一个所述源极沟槽的至少一个子沟槽的侧壁未被所述源极P+区完全屏蔽，在未被屏蔽的区域设置有N+导流区。

5.根据权利要求1所述的具有结控二极管的沟槽MOSFET器件，其特征在于，在沿着栅宽的方向上，所述栅极沟槽与所述源极沟槽交替排列。

6.根据权利要求5所述的具有结控二极管的沟槽MOSFET器件，其特征在于，位于所述栅极沟槽两侧的所述源极沟槽的数量和形状均相同，所述源极沟槽在所述栅极沟槽两侧呈对称分布。

7.根据权利要求1所述的具有结控二极