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2025年半导体材料技术员工作总结

2025年是半导体行业持续向先进制程与新兴应用场景突破的关键一年。作为材料技术员，我全程参与了公司从14nm向7nm制程迭代中的材料验证、量产爬坡及工艺优化工作，同时深度介入了第三代半导体材料（碳化硅、氮化镓）在功率器件领域的应用开发。全年工作围绕“材料稳定性保障”“新工艺适配性验证”“成本优化”三大核心目标展开，现将具体工作内容与技术实践总结如下：

一、14nm向7nm制程迭代中的材料验证与量产保障

（一）高k栅介质材料的量产导入

7nm制程对栅介质层的等效氧化层厚度（EOT）提出了更严苛要求，传统SiO?已无法满足，需采用HfO?基高k材料。年初，我