硅中代位碳含量红外吸收测试方法标准立项修订与发展报告.docxVIP

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《硅中代位碳含量红外吸收测试方法》标准修订与发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheRevisionoftheStandardforTestMethodofSubstitutionalAtomicCarbonContentinSiliconbyInfraredAbsorption

摘要

本报告旨在系统阐述国家标准《硅中代位碳含量红外吸收测试方法》的修订背景、核心内容及其对半导体产业的重要意义。随着集成电路特征尺寸不断缩小至纳米级，对硅单晶材料的纯度与缺陷控制提出了近乎苛刻的要求。碳作为硅中一种关键的代位杂质，其含量直接影响器件的漏电流、击穿电压及长期可靠性。原标准GB/T1558-2009在术语定义、测试细节和适用范围等方面已难以完全满足当前产业对高精度、高一致性的检测需求。本次修订以GB/T1558-2009为基础，深度融合了国际半导体设备与材料协会（SEMI）的先进标准SEMIMF1391-1107等，对标准的适用范围、术语定义、方法原理、干扰因素、试样制备、精密度及试验报告等进行了全面优化与细化。关键修订内容包括：明确了多晶硅样品的适用性；增加了测试环境条件的严格规定；引入了更为科学的碳吸收谱基线选取方法与半高宽确定方法，以应对高纯度材料检测的挑战；并规范了数据保留位数。本次修订显著提升了标准的科学性、可操作性与国际接轨程度，为硅材料的生产工艺控制、质量验收及研发提供了统一、精准的检测依据，对提升我国半导体基础材料的质量水平和国际竞争力具有重要的战略意义。

关键词：硅单晶；代位碳；红外吸收；测试方法；标准修订；半导体材料；质量控制

Keywords:Siliconmonocrystal;Substitutionalcarbon;Infraredabsorption;Testmethod;Standardrevision;Semiconductormaterials;Qualitycontrol

正文

1.修订背景与目的意义

单晶硅是构筑现代大规模集成电路与功率器件的基石材料。随着摩尔定律的持续推进，集成电路的特征尺寸已进入纳米尺度，这使得硅衬底材料的本征质量成为决定器件性能与成品率的关键因素之一。提高单晶硅质量的核心路径在于极致地降低晶体中的有害杂质与缺陷密度。碳杂质，作为一种常见的代位式杂质，在硅晶体生长过程中极易由原材料（如多晶硅、石英坩埚）及生长环境引入。即使是在ppma（百万原子分之一）量级的低浓度下，碳杂质也会通过影响晶格完整性、与其它缺陷（如氧）相互作用等方式，显著劣化器件的电学特性，如增加漏电流、降低击穿电压、影响载流子寿命等，从而直接影响集成电路的可靠性、功耗和性能。

因此，对硅中碳含量进行准确、可靠的检测，是半导体材料工艺控制、质量评估和前沿研发不可或缺的环节。红外吸收法因其非破坏性、灵敏度较高、操作相对简便等优点，已成为国际半导体产业界测定硅中代位碳原子含量的主流方法，被国内外主要的硅材料生产商和专业检测机构广泛采用。

然而，硅中碳含量的准确测试面临诸多技术挑战。一般而言，硅单晶中碳含量比氧含量低一个数量级，其对应的红外吸收峰强度较弱。更重要的是，在碳的特征吸收峰（约607cm?1）附近，存在一个非常强的硅晶格本征吸收峰，形成严重的光谱干扰，极大地增加了准确提取碳信号、进行定量分析的难度。原国家标准GB/T1558-2009《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》在实施多年后，暴露出部分内容表述不够明确、细节规定不够完善、对新兴材料（如高纯多晶硅）的适用性不足等问题，影响了测试结果在不同实验室间的可比性和复现性。

基于此，本次标准修订工作势在必行。修订的核心目的在于：通过系统性地调研和借鉴国际先进标准，如ASTME131（分子光谱学术语）、SEMIMF1391-1107（硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法）和SEMIMF1723（多晶硅棒评价规程），对原标准进行全面的完善、补充与细化。修订旨在精准规范测试方法的适用范围、明晰术语定义、细化方法原理与操作步骤（特别是基线选取这一关键环节）、系统分析并规定各类干扰因素、统一试样制备要求、明确测试环境条件，并更新精密度数据。最终目标是最大限度地减少人为因素和环境因素对测试结果的影响，全面提升硅中碳含量测试的准确性、一致性和可靠性。该标准的成功修订与实施，不仅将直接服务于硅材料的工艺控制、产品验收与研发创新，更将对提升我国半导体产业链的整体质量控制技术水平、增强核心基础材料的国际市场竞争地位，产生深远而积极的影响。

2.范围与主要技术内容修订要点

本次修订以GB/T1558-2009为基线，充分参考并融合了国际半导体产业