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单晶炉考试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.单晶炉中用于加热的部件是（）

A.坩埚B.加热器C.籽晶D.导流筒

2.单晶生长过程中，拉速过快会导致（）

A.单晶直径变粗B.单晶出现孪晶C.单晶直径变细D.不影响单晶质量

3.单晶炉的真空系统主要作用是（）

A.防止杂质进入B.加快晶体生长C.降低温度D.增加压力

4.籽晶的作用是（）

A.提供生长核心B.加热熔体C.搅拌熔体D.冷却晶体

5.常见的单晶炉热场结构不包括（）

A.上隔热屏B.下隔热屏C.电极D.冷凝器

6.单晶生长时，氩气的主要作用是（）

A.保护晶体B.增加压力C.降低温度D.促进杂质挥发

7.坩埚在单晶炉中的作用是（）

A.盛放熔体B.加热熔体C.冷却晶体D.固定籽晶

8.单晶炉的控制系统不包括（）

A.温度控制B.拉速控制C.压力控制D.颜色控制

9.当单晶炉内压力过高时，应（）

A.增加氩气流量B.降低氩气流量C.提高温度D.加快拉速

10.以下哪种情况可能导致单晶生长中断（）

A.拉速稳定B.温度稳定C.籽晶断裂D.氩气流量稳定

二、多项选择题（每题2分，共20分）

1.单晶炉的主要组成部分有（）

A.炉体B.热场系统C.真空系统D.控制系统

2.影响单晶生长质量的因素有（）

A.温度B.拉速C.氩气流量D.坩埚材料

3.热场系统包括（）

A.加热器B.隔热屏C.坩埚D.籽晶

4.真空系统的组成部分包括（）

A.真空泵B.真空阀门C.真空测量装置D.冷凝器

5.控制系统可以控制（）

A.温度B.拉速C.压力D.晶体直径

6.氩气在单晶生长中的作用有（）

A.保护晶体不被氧化B.带走挥发物C.稳定压力D.促进晶体生长

7.坩埚的材料要求有（）

A.耐高温B.化学稳定性好C.强度高D.价格便宜

8.单晶生长过程中的常见缺陷有（）

A.孪晶B.位错C.杂质D.气孔

9.提高单晶生长质量的方法有（）

A.优化热场设计B.精确控制工艺参数C.选用优质原材料D.加强设备维护

10.单晶炉操作过程中的安全注意事项有（）

A.防止高温烫伤B.防止触电C.防止真空泄漏D.防止气体中毒

三、判断题（每题2分，共20分）

1.单晶炉的加热方式只有电阻加热。（）

2.拉速越快，单晶的质量越好。（）

3.真空系统可以完全排除炉内的杂质。（）

4.籽晶的质量对单晶生长没有影响。（）

5.氩气流量越大，对单晶生长越有利。（）

6.坩埚在使用过程中不会发生磨损。（）

7.控制系统可以实现单晶生长的自动化。（）

8.单晶生长过程中，温度不需要精确控制。（）

9.热场系统的作用是提供稳定的温度环境。（）

10.只要设备正常运行，就可以保证单晶生长质量。（）

四、简答题（每题5分，共20分）

1.简述单晶炉中氩气的作用。

2.说明籽晶在单晶生长中的重要性。

3.列举影响单晶生长质量的主要因素。

4.简述单晶炉真空系统的作用。

五、讨论题（每题5分，共20分）

1.讨论如何提高单晶生长的成功率。

2.分析热场设计对单晶生长质量的影响。

3.探讨在单晶生长过程中遇到孪晶缺陷应如何解决。

4.谈谈如何确保单晶炉操作过程中的安全。

答案

一、单项选择题答案

1.B2.C3.A4.A5.D6.A7.A8.D9.B10.C

二、多项选择题答案

1.ABCD2.ABCD3.ABC4.ABC5.ABCD6.ABC7.ABC8.ABCD9.ABCD10.ABCD

三、判断题答案

1.×2.×3.×4.×5.×6.×7.√8.×9.√10.×

四、简答题答案

1.氩气可保护晶体不被氧化，带走挥发物，稳定炉内压力，为单晶生长创造良好环境。

2.籽晶为单晶生长提供初始晶核，决定晶体的生长方向和晶格结构，保证单晶按预期生长。

3.主要因素有温度、拉速、氩气流量、坩埚材料、籽晶质量等