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半导体器件物理习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、

1.解释内建电势（Built-inPotential）的形成机制及其在平衡PN结中的物理意义。

2.简述费米能级（FermiLevel）在N型和P型半导体中的位置，以及它如何反映载流子占据情况。

二、

3.根据漂移电流和扩散电流的表达式，定性分析PN结在正向偏置和反向偏置下的电流方向和主要成分。说明耗尽区宽度在两种偏置下的变化趋势及其原因。

4.什么是耗尽层（DepletionRegion）？在理想的abruptPN结中，耗尽层宽度主要由哪些因素决定？请推导耗尽层宽度随反向偏压增加而变宽的表达式（无需最终结果，只需关键步骤和物理量的符号）。

三、

5.写出半导体中电子的有效质量（EffectiveMass,m*）的定义式。说明有效质量小于自由电子质量的原因，并简述其物理意义。

6.推导在温度T和能量E处，半导体中电子的态密度（DOS）表达式（可以使用能带简并近似）。

四、

7.什么是半导体的本征载流子浓度（n_i）？请给出其表达式，并简述温度对n_i的影响。假设电子有效质量m_e和空穴有效质量m_h相同，推导N型半导体和P型半导体的本征载流子浓度表达式（N型和P型可合并推导，说明各自关系）。

8.在一个由Si构成的理想PN结中，P型区的掺杂浓度N_A=10^16cm^-3，N型区的掺杂浓度N_D=10^15cm^-3。已知Si在300K时的本征载流子浓度n_i=1.5x10^10cm^-3。请计算该PN结的平衡时内建电势V_bi（提示：可以使用准费米能级相等于费米能级的平衡条件）。

五、

9.什么是势垒电容（BarrierCapacitance,C_j）？简要说明其物理机制，并解释为什么PN结的反向偏压增大时，势垒电容会减小。

10.一个理想的abruptPN结，其耗尽层宽度为W。当外加反向偏压增加一倍时，耗尽层宽度变为多少？此时势垒电容变为原来的多少倍（假设其他因素不变）？

六、

11.在MOS结构中，什么是栅极电场（E_g）？它如何影响半导体表面（以Si/SiO?为例）的能带弯曲？说明反型沟道（InvertedChannel）形成的条件。

12.写出MOSFET（以N沟道增强型为例）的阈值电压（V_th）的基本表达式，并说明其中各项的物理意义。假设MOS结构中，Si的介电常数ε_s=11.7ε_0，SiO?的介电常数ε_ox=3.9ε_0，电子在Si中的有效质量m_n*≈0.19m_0，其中m_0是自由电子质量。请定性说明SiO?厚度增厚或Si掺杂浓度N_A增大时，阈值电压V_th将如何变化。

七、

13.简述BJT（以NPN为例）实现电流放大（β）的基本物理原理。说明基区掺杂浓度、基区宽度对电流放大系数β的影响趋势。

14.写出BJT（NPN）的基极电流I_B、集电极电流I_C和发射极电流I_E之间的关系式。如果忽略漏电流，请说明I_C与I_E、I_B的关系。

八、

15.什么是MOSFET的导电沟道（ConductingChannel）？在N沟道增强型MOSFET中，形成反型沟道的条件是什么？请用费米能级和势能图的定性方法描述沟道形成的物理过程。

16.写出N沟道增强型MOSFET在饱和区（SaturationRegion）工作时，漏极电流I_D的表达式（请明确其中各项的物理意义）。说明为什么在饱和区，I_D近似与栅极电压V_GS无关，而与漏极电压V_DS有关。

九、

17.什么是短沟道效应（Short-ChannelEffects）？请至少列举两种短沟道效应，并简要说明其物理机制。

18.假设一个MOSFET的阈值电压V_th=0.4V，当栅极电压V_GS=2.0V时，其沟道内电子的表面势（SurfacePotential,φ_s）大约是多少？（提示：可以先假设表面是强反型，然后计算）

试卷答案

一、

1.内建电势是在平衡PN结中，由于P区和N区掺杂浓度不同，导致费米能级不同，在结区形成电场，使P区势能高于N区。这个电场将使P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散，直至P区耗尽层边缘的费米能级与N区耗尽层边缘的费米能级相等（在禁带中），从而在结区产生一个固定的电势差，即为内建电势。其物理意义是为平衡漂移电流和扩散电流提供一个驱动力，维持结区电中性。

2.在N型半导体中，费米能级位于禁带上方，靠近导带底；在P型半导体中，费米能级位于禁带下方，靠近价带顶。费米能级的位置反映了该半导体中多数载流子（N区的电子，P区的空穴）的浓度高低。费米能级越靠近相关能带边缘，说明该载