高压-SiC-MOSFET-研究现状与展望.docxVIP

0摘要

碳化硅?（SiC）?金属氧化物半导体场效应晶体管?（MOSFET）?作为宽禁带半导体单极型功率器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域需求广泛，具有巨大的研究价值。回顾了高压?SiCMOSFET?器件的发展历程和前沿技术进展，总结了进一步提高器件品质因数的元胞优化结构，介绍了针对高压器件的几种终端结构及其发展现状，对高压?SiCMOSFET?器件存在的瓶颈和挑战进行了讨论。

1?引言

电力电子变换已经逐步进入高压、特高压领域，高压功率器件是制约变换器体积、功耗和效率的决定性因素。特高压交直流输电、新能源并网、电动汽车等领域都对高电压等级功率器件有着更高的要求和需求。目前，硅（Si）材料器件发展成熟、使用广泛、性能可靠，然而其较小的禁带宽度、击穿电场和热导率等特性大大制约了其在高功率、高电压和高频率下的应用。SiC?作为宽禁带半导体之一，在人们的探索和研究中逐渐走进了功率器件的舞台，并凭借其比?Si?材料更高的禁带宽度、击穿场强和热导率等优良特性，打破了?Si?材料的极限，在高电压等级和大功率电能变换应用中体现出了较低的功率损耗、更高的开关频率等优越性能，具有极大的潜力。在诸多开关器件中，高压?SiCMOSFET?器件是一种具有输入阻抗高、工作频率高、无拖尾电流等特点的单极型功率器件，相较于其他单?/?双极型开关器件具有以下优越性：其开关损耗低，易于提高功率模块整体效率；开关频率高，降低了电容电感体积，利于电力电子变换器的整体小型化；工作环境温度理论上可达?600?℃，远超?Si?基器件，利于在高温环境下的应用。加入三代半交流群，加VX：tuoke08。随着?SiC?晶圆制造技术和栅氧工艺的日益成熟，已有不少国内外厂家正在或已经实现了?1.2kV?等级器件的商品化。

目前，高压?SiCMOSFET?的单管击穿电压已经达到?15kV。高压?SiCMOSFET?的结构和技术存在着几个重要瓶颈：1）器件漂移区的导通电阻随电压等级相应增加，其他结构（沟道、JFET?区等）的存在进一步提高了总导通电阻；2）电压等级要求高，而终端保护技术的保护效率和终端面积之间存在矛盾；3）存在器件可靠性问题，工艺技术和结构设计严重影响器件的长期工作。这些问题严重限制了高压?SiCMOSFET?器件的进一步发展和推广应用，因此目前已有诸多学者针对上述问题开展了研究。本文首先回顾了高压?SiCMOSFET?的发展历程和国内外研究进展，随后从器件特性的权衡关系出发，在高压?SiCMOSFET?的改进结构和终端保护技术等方面对国内外研究现状进行分析和总结，同时对该器件目前存在的瓶颈和挑战进行了讨论。

2?高压?SiCMOSFET?发展历程与研究现状

2.1SiC?材料的优越性

目前已知的?SiC?材料有?250?多种晶体结构，其中4H-SiC?晶型具有更高的迁移率，因此?SiC?功率器件主要基于?4H-SiC?材料。Si、4H-SiC2?种半导体材料的主要特性如图?1?所示，其中?Si?的带隙宽度为?1.12eV、热导率为?1.5W/(cm·℃)、击穿场强?Ec?为?2.5×105?V/cm，而?4H-SiC?的带隙宽度为?3.26eV、热导率为4.9W/(cm·℃)、Ec?可达?2.5×106?V/cm。4H-SiC?功率器件有着?10?倍于?Si?功率器件的击穿场强，这意味着在同等电压等级下?4H-SiC?功率器件的尺寸远小于?Si?功率器件，这将进一步提升器件的功率密度，改善器件的散热等特性，使其可以在更大电流和更高频率下工作。从比导通电阻?RON,sp?和击穿电压?VB?的关系可以进一步说明?4H-SiC?材料的先进性，二者都是衡量单极型高压功率器件的核心参数，在穿通结构下存在理论极限关系：RON,sp=(3/2)3?VB2?/εs?μnEc3?，其中?εs?和?μn?分别为半导体材料的介电常数和电子迁移率，从图?1(b)可以进一步看出，4H-SiC?功率器件与?Si?相比具有耐压更高、损耗更低的优良特点。

2.2SiCMOSFET?器件的发展历程

功率?SiCMOSFET?主要有?2?种技术路线，根据栅极工艺分为平面型?MOSFET?（VDMOS）和沟槽型MOSFET（TMOS），两种器件的元胞结构如图?2?所示。多数产品均采用?SiCVDMOS?结构，其工艺简单、阻断能力强，然而导通电阻较大；SiCTMOS?是目前的研究热点，其沟道迁移率高，但工艺较为复杂，受栅氧可靠性影响导致阻断能力较差。

自20?世纪?80?年代第一款?3C-SiC?衬底上的横向MOSFET?和?1994?年首个功率?SiCMOSFET?研制成功以来，各大公司和研究机构都如火如荼地进行着?Si