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2025年（微电子科学与技术）半导体工艺仿真试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共20题。

1.半导体工艺仿真中，用于描述光刻胶曝光过程的物理模型是（）

A.漂移扩散模型B.光化学反应模型C.载流子输运模型D.热传导模型

答案：B

2.在半导体工艺仿真中，以下哪种方法可用于模拟杂质扩散过程（）

A.有限元法B.蒙特卡洛方法C.玻尔兹曼方程求解D.格林函数法

答案：C

3.半导体工艺中，氧化层生长速率与下列哪种因素关系不大（）

A.温度B.气体流量C.衬底材料颜色D.氧化气氛

答案：C

4.光刻工艺仿真中，光刻胶分辨率主要取决于（）

A.光刻胶厚度B.曝光光源波长C.显影时间D.光刻设备品牌

答案：B

5.半导体工艺仿真中，模拟刻蚀过程主要考虑的物理机制是（）

A.化学腐蚀B.物理溅射C.两者结合D.电子束蒸发

答案：C

6.对于MOS器件工艺仿真，栅氧化层质量对器件性能影响很大，其质量主要通过（）评估

A.氧化层厚度均匀性B.氧化层界面态密度C.氧化层颜色D.氧化层电阻率

答案：B

7.在半导体工艺仿真中，模拟外延生长过程需要考虑的关键因素是（）

A.衬底温度B.外延层材料纯度C.反应气体压力D.以上都是

答案：D

8.半导体工艺中，离子注入过程仿真主要关注（）

A.注入离子能量分布B.注入离子剂量分布C.两者都是D.注入设备功率

答案：C

9.光刻工艺仿真中，光刻胶的粘附性与（）有关

A.衬底表面清洁度B.光刻胶配方C.曝光前烘烤温度D.以上都是

答案：D

10.半导体工艺仿真中，模拟退火工艺主要用于（）

A.消除杂质原子B.改善晶体结构C.降低工艺温度D.提高光刻胶分辨率

答案：B

11.对于集成电路制造工艺仿真，多层金属布线工艺仿真需要考虑（）

A.金属层间电介质特性B.金属布线的电阻电容特性C.金属布线的光刻对准精度D.以上都是

答案：D

12.半导体工艺仿真中，模拟化学机械抛光过程主要考虑（）

A.抛光液成分B.抛光压力C.抛光垫材料D.以上都是

答案：D

13.光刻工艺仿真中，曝光剂量的控制对光刻效果至关重要，曝光剂量主要由（）决定

A.光源强度B.曝光时间C.光刻胶感光度D.以上都是

答案：D

14.半导体工艺中，模拟扩散阻挡层的作用可通过工艺仿真研究其（）

A.阻挡杂质扩散效果B.对器件电学性能的影响C.与衬底的结合力D.A和B

答案：D

15.在半导体工艺仿真中，模拟湿法清洗过程主要考虑（）

A.清洗液成分B.清洗温度C.清洗时间D.以上都是

答案：D

16.光刻工艺仿真中，光刻胶的显影速率与（）有关

A.显影液成分B.光刻胶曝光剂量C.显影温度D.以上都是

答案：D

17.半导体工艺仿真中，模拟金属化工艺时，金属薄膜的生长模式与（）有关

A.沉积温度B.沉积速率C.金属种类D.以上都是

答案：D

18.对于半导体封装工艺仿真，需要考虑（）

A.封装材料特性B.封装结构力学性能C.封装过程中的热传递D.以上都是

答案：D

19.半导体工艺仿真中，模拟等离子体增强化学气相沉积过程主要关注（）

A.等离子体参数B.反应气体流量C.衬底温度D.以上都是

答案：D

20.光刻工艺仿真中，光刻胶的烘烤温度会影响其（）

A.流动性B.粘附性C.曝光灵敏度D.以上都是

答案：D

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

（一）简答题（共20分）

答题要求：请简要回答问题，答案写在下方下划线区域。每题5分，共4题。

1.简述半导体工艺仿真中常用的数值计算方法及其适用范围。

___

答案：常用数值计算方法有有限元法，适用于求解复杂几何形状和边界条件下的物理场问题，如工艺设备中的温度场、应力场等；蒙特卡洛方法用于模拟随机过程，如杂质原子的随机扩散、离子注入的能量和剂量分布等；玻尔兹曼方程求解用于载流子输运过程模拟，如半导体器件中的电流传导等。

2.在光刻工艺仿真中，影响光刻胶图形质量的因素有哪些？

___

答案：影响因素有曝光光源波长，波长越短分辨率越高；光刻胶厚度，合适厚度利于形成良好图形；曝光剂量，剂量不准确会导致图形尺