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ZnO基发光器件：制备工艺与性能优化的深度剖析.docx

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    ZnO基发光器件：制备工艺与性能优化的深度剖析

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    随着光电子技术的迅猛发展，发光器件在现代通信、显示、照明、生物医学等众多领域发挥着不可或缺的作用，成为推动各领域技术进步的关键因素之一。在众多发光器件材料中，ZnO基发光器件以其独特的物理性质和潜在的应用价值，吸引了科研人员的广泛关注，成为光电子领域的研究热点。

    ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下其禁带宽度高达3.37eV，激子束缚能更是达到了60meV，远高于其他常见的宽禁带半导体材料，如GaN的激子束缚能仅为25meV。这种高激子束缚能使得ZnO激子在室温下能够保持稳定，为实现

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