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2025年（微电子科学与技术）微电子制造技术试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：每题只有一个正确答案，请将正确答案填涂在答题卡相应位置。

一、（总共10题，每题2分）

1.以下哪种光刻技术常用于先进集成电路制造？

A.紫外光刻

B.极紫外光刻

C.电子束光刻

D.离子束光刻

答案：B

2.化学气相沉积中，哪种气体用于提供硅源？

A.氧气

B.氢气

C.硅烷

D.氮气

答案：C

3.以下哪项不是干法刻蚀的优点？

A.高分辨率

B.对衬底损伤小

C.可实现高深宽比

D.设备成本低

答案：D

4.离子注入中，离子的能量通常在什么范围？

A.几电子伏特

B.几十电子伏特

C.几百电子伏特

D.几千电子伏特

答案：D

5.光刻胶的作用是？

A.保护衬底

B.提供图形转移模板

C.参与化学反应

D.增强导电性

答案：B

6.湿法刻蚀中，常用的腐蚀液是？

A.硫酸

B.盐酸

C.氢氟酸

D.硝酸

答案：C

7.以下哪种材料常用于CMOS工艺中的栅极？

A.铝

B.铜

C.多晶硅

D.二氧化硅

答案：C

8.外延生长的目的是？

A.改变衬底材料

B.提高衬底纯度

C.在衬底上生长高质量单晶薄膜

D.降低衬底成本

答案：C

9.化学机械抛光主要用于？

A.去除杂质

B.平整表面

C.提高硬度

D.增强附着力

答案：B

10.以下哪种光刻技术分辨率最高？

A.接触式光刻

B.接近式光刻

C.投影光刻

D.电子束光刻

答案：D

二、（总共10题，每题2分）

1.光刻过程中，曝光剂量不足可能导致？

A.图形尺寸变大

B.图形尺寸变小

C.光刻胶脱落

D.无影响

答案：A

2.化学气相沉积中，反应温度升高会？

A.沉积速率降低

B.沉积速率升高

C.对沉积速率无影响

D.沉积质量变差

答案：B

3.干法刻蚀中，气体流量增加会？

A.刻蚀速率降低

B.刻蚀速率升高

C.对刻蚀速率无影响

D.产生更多缺陷

答案：B

4.离子注入中，注入剂量增加会？

A.杂质浓度降低

B.杂质浓度升高

C.对杂质浓度无影响

D.引起衬底损伤减小

答案：B

5.光刻胶显影后，图形边缘不整齐可能是因为？

A.曝光不均匀

B.显影时间过短

C.光刻胶质量差

D.以上都有可能

答案：D

6.湿法刻蚀中，腐蚀液浓度过高会？

A.刻蚀速率降低

B.刻蚀速率升高

C.对刻蚀速率无影响

D.腐蚀选择性变差

答案：D

7.CMOS工艺中，源漏区掺杂浓度过高会导致？

A.阈值电压升高

B.阈值电压降低

C.漏电流减小

D.无影响

答案：B

8.外延生长中，衬底温度对生长质量的影响是？

A.温度过高生长速率降低

B.温度过低生长速率升高

C.温度过高或过低都会影响生长质量

D.温度对生长质量无影响

答案：C

9.化学机械抛光中，抛光压力增加会？

A.抛光速率降低

B.抛光速率升高

C.对抛光速率无影响

D.表面粗糙度增大

答案：B

10.电子束光刻的曝光剂量与图形尺寸的关系是？

A.剂量越大尺寸越大

B.剂量越大尺寸越小

C.剂量与尺寸无关

D.剂量适中尺寸最小

答案：B

三、（总共4题，每题5分）

1.简述光刻的工艺流程。

答案：光刻工艺流程包括：涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜。涂胶是在衬底上均匀涂覆光刻胶；前烘使光刻胶干燥并增强附着力；曝光通过掩膜版将光刻胶曝光；显影去除曝光部分的光刻胶；坚膜进一步增强光刻胶的稳定性。

2.说明化学气相沉积的原理。

答案：化学气相沉积是利用气态物质在固体表面发生化学反应，生成固态薄膜的过程。气态反应物在一定温度下进入反应腔，在衬底表面发生热分解、还原或氧化等反应，反应产物沉积在衬底上形成薄膜。通过控制反应气体的种类、流量、温度等条件，可以实现不同薄膜材料的沉积。

3.分析干法刻蚀的原理及特点。

答案：干法刻蚀利用高能粒子（如离子、电子等）与被刻蚀材料表面相互作用，将材料去除。其原理是高能粒子轰击被刻蚀材料表面，使原子键断裂，产生挥发性产物被抽走。特点有高分辨率、可实现高深宽比、对衬底损伤小、能精确控制刻蚀速率和选择性等。

4.阐述CMOS工艺中栅极氧化的作用。

答案：在CMOS工艺中，栅极氧化用于在硅衬底上生长一层高质量的二氧化硅薄膜。其作用是作为栅介质，控制晶体管的阈值电压，隔离栅极与沟道，防止电子在栅极和沟道间直接隧穿，同时提供良好的绝缘性能，保证晶体管正常工作，对CMOS器件的性能和功能起着关键作用。

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

四、（总共10题，每