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导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;7.0.1本征半导体〔纯洁和具有晶体结构的半导体〕;在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;二、本征半导体的导电机理;+4;2.本征半导体的导电机理;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;7.0.2杂质半导体;一、N型半导体;+4;二、P型半导体;三、杂质半导体的符号;;P型半导体;漂移运动;－;(1)加正向电压〔正偏〕——电源正极接P区，负极接N区;(2)加反向电压——电源正极接N区，负极接P区;

PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；

PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。

由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;7.2晶体二极管及其应用;B伏安特性;C主要参数;〔4〕反向电流IR;当外加正向电压不同时，PN结两侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相当电容的充放电过程。;CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。;;〔4〕稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。;在电路中稳压管只有与适当的电阻连接才能起到稳压作用。;稳压二极管的应用举例;令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin。;7.2.3发光二极管;7.2.4光电二极管;7.2.5变容二极管;二极管：死区电压=0.5V，正向压降?0.7V(硅二极管)理想二极管：死区电压=0，正向压降=0;二极管的应用举例2：;;B;B;B;IC;结论:;二.电流放大原理;B;IB=IBE-ICBO?IBE;ICE与IBE之比称为电流放大倍数;一.输入特性;二、输出特性;IC(mA);IC(mA);输出特性三个区域的特点:;D、主要参数;例：UCE=6V时：IB=40?A,IC=1.5mA；IB=60?A,IC=2.3mA。;b.集-基极反向截止电流ICBO;B;d.三极管的极限参数

〔1〕集电极最大电流ICM;〔3〕集电极最大允许功耗PCM;7.3.2共发射极放大电路;放大电路的目的是将微弱的变化信号不失真的放大成较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。;放大元件iC=?iB，工作在放大区，要保证集电结反偏，发射结正偏。;作用：使发射结正偏，并提供适当的静态工作点。;集电极电源，为电路提供能量。并保证集电结反偏。;集电极电阻，将变化的电流转变为变化的电压。;耦合电容：

电解电容，有极性。

大小为10?F~50?F;可以省去;单电源供电电路;符号规定;回忆上次课的内容：

1、共射极放大电路的构成

〔理解各元件的作用〕。

2、三极管的放大原理：

各量之间的关系。

3、三极管的三种工作状态

〔输出特性三个区域的特点〕;输出特性三个区域的特点:;B放大电路的分析方法;B放大电路的分析方法;直流通路和交流通路;例：;对交流信号(输入信号ui);ui=0时;IBQ;(IBQ,UBEQ)和(ICQ,UCEQ)分别对应于输入输出特性曲线上的一个点称为静态工作点。;〔1〕估算法;〔1〕估算法;〔2〕根据直流通道估算UCE、IC;〔2〕根据直流通道估算UCE、IC;直流负载线;先估算IB，然后在输出特性曲线上作出直流负载线，与IB对应的输出特性曲线与直流负载线的交点就是Q点。;例：用估算法计算静态工作点。;b动态分析;〔1〕三极管的交流通路：;〔1〕三极管的交流通路输入电阻的计算：;〔1〕三极管的交流通路输入电阻的计算：;〔1〕三极管的交流通路输入电阻的计算：;

三极管输出电阻：

ro＝Rc;电压放大倍数的计算;例题7.57.7;IB;uCE的变化沿一条直线;交流负载线;iC和uCE是交直流量，与交流量ic和uce有如下关系;交流负载线的作法;各点波形;失真分析;iC;iC;iC;实现放大的条件：;如何判断一个电路是否能实现放大？;集成电路:将整个电路的各个元件做在同一个半导体基片上。;集成电路内部结构的特点