CN115702358B 方法和装置 （帕拉格拉夫有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115702358B(45)授权公告日2025.07.11

(21)申请号202180040722.8

(22)申请日2021.04.20

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115702358A

(43)申请公布日2023.02.14

(30)优先权数据

200582102020.04.21GB

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2022.12.06

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/GB2021/0509462021.04.20

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2021/214449EN2021.10.28

(73)专利权人帕拉格拉夫有限公司地址英国剑桥郡

(72)发明人休·格拉斯安德鲁·马修斯

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

专利代理师高岩

(51)Int.CI.

G01R31/382(2006.01)

G01R31/3832(2006.01)

G01R33/07(2006.01)

(56)对比文件

CN105493336A,2016.04.13

CN110780213A,2020.02.11

WO2019138232A1,2019.07.18

审查员杜娟

权利要求书2页说明书11页附图4页

(54)发明名称

方法和装置

(57)摘要

CN115702358B100气提供了一种对负载下的单元进行场映射的方法。该方法包括以下步骤：提供单元；提供霍尔效应传感器，该霍尔效应传感器包括用于测量磁场的石墨烯导体；将霍尔效应传感器定位在邻近

CN115702358B

100气

CN115702358B权利要求书1/2页

2

1.一种对负载下的单元进行场映射的方法，包括以下步骤：

提供单元；

提供霍尔效应传感器，所述霍尔效应传感器包括用于测量磁场的石墨烯导体；

将所述霍尔效应传感器定位在邻近所述单元的表面的第一位置处；

向所述单元施加负载；以及

测量所述霍尔效应传感器的输出，以检测所述单元的在与所述第一位置对准的一部分中由所述单元产生的磁场，

其中所述霍尔效应传感器包括：

其上具有层结构的基板，所述层结构包括：

在所述基板的第一区域上的下层，其中，所述下层包括延伸穿过所述下层的一个或更多个石墨烯层，以及

在所述下层上的上层，并且所述上层由介电材料形成，

其中，所述石墨烯和所述上层共享连续的外边缘表面，

欧姆接触，其设置在所述基板的另一区域上，并且经由所述连续的外边缘表面与所述一个或更多个石墨烯层直接接触，以及

连续的抗空气涂层，其包围所述层结构或跨所述基板、所述层结构和所述至少一个欧

姆接触。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

将所述霍尔效应传感器从所述第一位置移动至邻近所述单元的表面的第二位置；

在所述第二位置处测量所述霍尔效应传感器的输出，以检测所述单元的在与所述第二位置对准的一部分中由所述单元产生的磁场。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括以下步骤：

将所述霍尔效应传感器从所述第二位置移动至邻近所述单元的表面的一系列N个后续位置；以及

在所述后续位置中的每一个处测量所述霍尔效应传感器的输出，以检测所述单元的在

与所述后续位置对准的一部分中由所述单元产生的磁场，

其中，所述N个后续位置分布在所述单元的表面上。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述N个后续位置在所述单元的表面上形成阵列。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述霍尔效应传感器是霍尔效应传感器阵列的一部分，所述霍尔效应传感器中的每一个邻近所述单元放置，以检测由所述单元的与所述霍尔效应传感器对准的对应部分中由所述单元产生的磁场。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括以下步骤：

监测所述霍尔效应传感器的所测量的输出；

识别指示单元故障的磁场的变化；以及

确定所述单元故障在所述单元中的位置。

7.一种用于对负载下的单元进行场映射的装置，其包括霍尔效应传感器阵列，每个霍尔效应传感器包括：

石墨烯导体，所述石墨烯导体用于测量在使用中所述单元的与所述霍尔效应传感器对准的对应部分中的磁场；

CN115702358B权利要求书2/2页