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集成电路的微机电系统(MEMS)技术考核试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项的字母填在题后的括号内）

1.微机电系统（MEMS）通常被认为是在微米尺度上集成了传感器、执行器以及信号处理功能的机电一体化系统，其核心特征不包括以下哪一项？

A.微型化

B.集成化

C.主动化

D.材料多样化（非结构功能集成）

2.在压阻式压力传感器中，通常采用半导体材料如硅，利用其压阻效应实现压力检测。以下哪种效应不是其工作基础？

A.霍尔效应

B.线性电阻随应力变化的规律

C.温度对电阻的影响

D.应力导致材料能带结构改变

3.用于制造MEMS器件的硅材料，通常优先选用哪种晶体结构？

A.金刚石

B.石墨

C.单晶硅

D.多晶硅

4.在MEMS制造中，利用光刻技术转移图形的关键步骤是？

A.涂覆光刻胶

B.曝光

C.显影

D.腐蚀

5.下列哪种工艺通常不用于MEMS微机械结构的批量制造？

A.硅深反应离子刻蚀（DRIE）

B.电子束光刻

C.喷墨打印

D.干法刻蚀

6.陀螺仪用于测量角速度，其核心工作原理通常基于？

A.压阻效应

B.科里奥利力效应

C.霍尔效应

D.热电效应

7.MEMS器件制造后，通常需要进行封装的主要目的是？

A.提高器件的机械强度

B.保护内部敏感结构免受环境影响

C.便于焊接连接

D.优化器件的电学性能

8.下列哪个不属于典型的MEMS惯性传感器？

A.加速度计

B.陀螺仪

C.磁力计

D.气压计

9.在MEMS微加工中，通常将晶圆放置在绝缘的平台上，并通过引线键合将其连接到外部电路，这种引线键合方式称为？

A.贴片式键合

B.胶粘剂键合

C.热超声键合

D.扇出型键合

10.随着摩尔定律趋缓，MEMS技术因其独特的优势，在以下哪个领域展现出重要的替代或补充作用？

A.大型系统级封装（SiP）

B.高端CPU制造

C.集成电路存储器

D.微型传感器和执行器集成

二、填空题（每空1分，共15分。请将答案填写在横线上）

1.MEMS器件通常需要经过一系列复杂的制造工艺流程，其中__________和__________是两种关键的微加工步骤。

2.压电式加速度传感器利用材料的__________效应，将机械加速度转换为可测量的电荷或电压信号。

3.在硅基MEMS制造中，通过选择性地刻蚀掉部分硅层，可以形成悬臂梁、扭转梁等__________结构。

4.封装对于MEMS器件至关重要，特别是对于__________传感器，需要采取严格的密封措施以防止环境湿气影响其性能。

5.常见的MEMS制造工艺流程顺序通常包括：光刻、刻蚀、沉积、键合等步骤，其中__________是用于将电路图形转移到硅片上的关键工序。

6.陀螺仪根据检测对象的不同，可以分为角速度陀螺仪和角加速度陀螺仪，其中商业应用最广泛的是__________陀螺仪。

7.扇出型键合（Fan-OutWaferLevelPackage,FOWLP）技术允许将MEMS芯片放置在硅片上，并通过多个引线键合点与外部电路连接，这种方式可以显著提高__________。

8.除了硅之外，__________和__________也是MEMS制造中常用的基础材料。

9.科里奥利力效应是__________（陀螺仪/加速度计）工作的基本原理之一。

三、简答题（每题5分，共20分）

1.简述压阻式压力传感器的工作原理及其主要优缺点。

2.简要说明MEMS制造中光刻工艺的基本流程。

3.简述MEMS陀螺仪与MEMS加速度计在基本工作原理上的主要区别。

4.MEMS封装面临哪些主要挑战？

四、计算题（10分）

假设一个简单的悬臂梁式压阻式压力传感器，其梁的有效受压面积为1mm2，所用的单晶硅材料在受力方向上的压阻系数为-100×10??V·m2/N。当该传感器受到一个200kPa的压力时，如果传感器的灵敏度为0.5V/kPa，请计算：（1）梁上产生的电阻变化量（假设初始电阻为100kΩ，且压阻效应为线性）；（2）传感器的输出电压。

五、论述题（15分）

MEMS技术的发展对现代电子