微机电系统（MEMS）膜残余应力测试方法标准标准立项修订与发展报告.docx

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《微机电系统（MEMS）膜残余应力测试方法标准》发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportonStandardTestMethodsforResidualStressinMEMSFilmsviaWaferCurvatureandCantileverBeamDeflection

摘要

微机电系统（MEMS）作为融合微电子与精密机械的前沿技术，其器件的性能、可靠性与寿命高度依赖于构成其核心结构的薄膜材料的力学特性，尤其是残余应力。残余应力是在薄膜沉积或后续工艺过程中被“锁定”在结构内部的应力，无外部载荷时依然存在。过大的残余应力会导致MEMS结构（如梁、膜、梳齿）发生翘曲、粘连甚至断裂，是影响器件成品率和长期稳定性的关键因素。因此，对MEMS薄膜残余应力进行准确、标准化地测量与监控，已成为MEMS设计、制造与质量管控不可或缺的环节。

本报告旨在阐述《微机电系统（MEMS）膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法》标准立项的背景、核心内容及其对行业发展的深远意义。该标准规定了两种广泛认可且互补的测试方法：晶圆曲率法与悬臂梁挠度法。晶圆曲率法适用于工艺在线监控和薄膜材料的快速筛选，通过测量沉积薄膜前后基底的曲率变化来反演平均残余应力；悬臂梁挠度法则更侧重于对特定释放结构的局部应力进行精确表征，通过测量微加工悬臂梁的自由端挠度来计算应力。标准内容涵盖了方法原理、测试装置要求、详细测试规程及测试报告规范。

本标准的制定与推广，将首次在国内为MEMS薄膜残余应力测试提供统一、权威的技术依据。它不仅能够为MEMS制造企业提供可靠的工艺监控和质量评价手段，提升产品一致性与可靠性，还将促进MEMS设计工具中材料参数库的完善，加速新型高性能MEMS器件（如射频MEMS、光学MEMS、惯性传感器等）的研发与产业化进程，对我国MEMS产业生态的健全与技术进步具有重要的支撑和引领作用。

关键词：

微机电系统(MEMS)；薄膜残余应力(ThinFilmResidualStress)；晶圆曲率法(WaferCurvatureMethod)；悬臂梁挠度法(CantileverBeamDeflectionMethod)；标准化测试(StandardizedTesting)；工艺监控(ProcessMonitoring)；可靠性(Reliability)

正文

1.标准立项的目的与意义

在微米/纳米尺度的MEMS器件中，薄膜材料（如多晶硅、氮化硅、金属等）的力学行为与宏观尺度截然不同，其中残余应力问题尤为突出。残余应力源于薄膜沉积过程中原子/分子堆积的非平衡态、薄膜与基底之间的热膨胀系数失配以及后续工艺带来的热机械载荷。当MEMS结构中沉积的薄膜存在残余应力时，会引起薄膜及其沉积基底在内的双层结构一起发生弯曲，其挠度与薄膜的残余应力直接相关。具体表现为：残余应力为拉伸应力时，基底倾向于发生凹状弯曲（向薄膜侧凹陷）；残余应力为压缩应力时，基底则呈凸状弯曲。

这种由应力导致的形变，在MEMS器件中可能引发一系列严重问题：例如，使可动结构的静平衡位置偏移，影响传感器零位和灵敏度；导致多层结构发生分层或翘曲，影响光学MEMS的镜面平整度或射频MEMS的电容间隙；在极端情况下，过大的压应力可能使微结构发生屈曲，而过大的拉应力则可能导致脆性薄膜开裂。

因此，制定《微机电系统（MEMS）膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法》标准具有至关重要的现实意义：

*提供关键力学参数：该标准所规定的方法能够为MEMS研发与制造提供精确的薄膜残余应力、等效杨氏模量等关键力学参数。这些参数是进行器件力学仿真、优化设计的基础。

*监控制造工艺与产品质量：残余应力是衡量薄膜沉积及后处理工艺稳定性的灵敏指标。通过标准化测试，可以实现对生产线工艺窗口的实时监控和快速反馈，及时发现工艺漂移，从而提升产品批次间的一致性和良率。

*支撑器件可靠性与寿命评估：残余应力直接影响MEMS器件的疲劳、蠕变等长期可靠性性能。标准化的测试数据可为可靠性模型提供输入，助力进行更准确的寿命预测与失效分析。

*推动产业协同与技术进步：本标准的应用可为MEMS器件的制造工艺提供共性技术支撑。统一的测试方法有助于产业链上下游（材料供应商、代工厂、设计公司、终端用户）之间的有效沟通与技术对接，降低研发成本，加速新型MEMS技术（如基于新材料的传感器、执行器）从实验室走向产业化。

2.标准的范围与主要技术内容

2.1范围

本文件规定了厚度范围在0.01微米至10微米之间的薄膜的平均残余应力的测试方法。所述薄膜应沉积在硅、玻璃、SOI（绝缘体上硅）等杨氏模量和泊松比等力学性能已知的刚性基底