半导体器件 基于扫描监控技术的退化水平评估方法标准立项修订与发展报告.docxVIP

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《半导体器件基于扫描监控技术的退化水平评估方法》标准立项与发展报告

EnglishTitle:StandardDevelopmentReportonSemiconductorDevices-DegradationLevelAssessmentMethodBasedonScanMonitoringTechnology

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摘要

随着信息技术的飞速发展，半导体器件已成为现代电子系统的核心，其可靠性直接决定了从消费电子到航空航天、智能汽车、高端医疗设备等关键领域电子系统的稳定与安全。然而，半导体器件在追求更高性能、更小尺寸的同时，也面临着由负/正偏压温度不稳定性（NBTI/PBTI）、热载流子注入（HCI）、与时间有关的介电击穿（TDDB）、电迁移（EM）及应力迁移（SM）等多种物理退化机制带来的严峻可靠性挑战。这些退化效应导致器件参数漂移、性能衰减乃至功能失效，严重制约了其预期寿命与系统可靠性。

为应对这一挑战，本报告围绕《半导体器件基于扫描监控技术的退化水平评估方法》标准的立项工作，系统阐述了其研究背景、核心目的与重要意义。该标准旨在规定一种创新的、基于扫描监控技术的半导体器件退化水平量化评估方法。其核心在于设计一种专用的性能评估存储单元，通过引入相位可精确控制的时钟信号与阴影锁存器（ShadowLatch），实现对电路路径延迟的在线、高精度监测。通过比较功能时钟与相位变换时钟下的采样数据差异，可以量化由退化引起的延迟增量，从而精确评估器件的退化等级，而非仅进行故障检测。

本标准的制定与推广，将填补国内在半导体器件在线退化精确量化评估技术标准领域的空白，为高可靠性应用场景提供一套科学、统一、可操作的评估准则。它不仅有助于在器件发生灾难性故障前进行预警和干预，提升电子系统的整体可靠性与寿命预测准确性，还将推动我国半导体可靠性测试与监控技术的进步，对保障国家重点领域的信息安全与产业链自主可控具有重要的战略意义。

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关键词

Keywords:

-半导体器件可靠性/SemiconductorDeviceReliability

-退化机制/DegradationMechanisms

-扫描监控技术/ScanMonitoringTechnology

-在线评估/In-SituAssessment

-路径延迟/PathDelay

-阴影锁存器/ShadowLatch

-相位变换时钟/Phase-ShiftedClock

-高可靠性应用/High-ReliabilityApplications

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正文

一、立项背景与目的意义

半导体产业是支撑国民经济和社会发展的战略性、基础性、先导性产业，半导体器件的可靠性是产业健康发展的基石。根据国际半导体技术路线图（ITRS）及其后继者国际器件与系统路线图（IRDS）的持续强调，随着工艺节点不断微缩至纳米乃至更先进尺度，器件的可靠性问题日益凸显，已成为制约技术演进和产品应用的关键瓶颈之一。

在诸如航空航天飞行控制、汽车电子（尤其是自动驾驶系统）、植入式医疗设备、工业控制及国防军工等高可靠性或安全关键型领域，对半导体器件的失效概率要求极为严苛（通常要求失效率低于10FITs）。在这些场景中，器件的突然失效可能导致灾难性后果。因此，不仅需要在设计阶段进行充分的可靠性仿真与验证，更需要在器件实际运行过程中，对其健康状态进行实时、在线的监控与评估。

当前，引起半导体器件退化的主要物理机制已得到广泛研究，包括但不限于：负/正偏压温度不稳定性（NBTI/PBTI）、热载流子注入（HCI）、与时间有关的介电击穿（TDDB）、电迁移（EM）以及应力迁移（SM）等。这些机制共同作用，导致晶体管阈值电压漂移、载流子迁移率下降、互连线电阻增大等，最终表现为电路路径延迟的增加和性能衰退。传统的可靠性测试方法，如高温工作寿命试验（HTOL），属于离线、破坏性、统计性的评估手段，无法对现场运行中的特定器件进行个体化、精准化的寿命预测。

尽管业界已认识到通过监测电路延迟来反映退化程度的基本原理，并开发出一些内置自测试（BIST）或环形振荡器（RO）等监控技术，但这些方法往往存在精度不足、面积开销大、或无法精确量化具体退化等级（仅能判断是否超过某一故障阈值）等局限性。因此，迫切需要一种能够精确、在线、量化评估半导体器件退化水平的技术标准。

《半导体器件基于扫描监控技术的退化水平评估方法》标准的立项，正是为了响应这一迫切需求。本标准旨在规定一种先进的扫描监控解决方案，该技术能够集成于芯片内部，在系统正常运行期间，无侵入或低侵入地对关键路径的延迟进行持续采样和比对。通过精确量化延迟的变化量，可以反推器件所