磁控溅射法制备掺钒氧化锌薄膜：光学特性与缺陷的深度解析.docx

磁控溅射法制备掺钒氧化锌薄膜：光学特性与缺陷的深度解析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，半导体薄膜材料在众多领域展现出了巨大的应用潜力，其中氧化锌（ZnO）薄膜因其独特的物理性质和广泛的应用前景，成为了材料科学领域的研究热点之一。ZnO是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料，具有六方纤锌矿结构，在常温下其禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV。这些优异的特性使得ZnO薄膜在光电器件、传感器、压电器件等诸多领域得到了广泛的应用。

在光电器件方面，ZnO薄膜的高透光性和合适的禁带宽度使其在发光二极管（LED）、激光二极管（LD）、紫外探测器等