MLC闪存抗浮栅耦合技术研发项目报告.pdfVIP

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二、企业研究开发项目情况表（2011-2013执行的项目，按单一项目

填报）

项目编号：RD01

项目名称MLC闪存抗浮栅耦合技术的研制起止时间2010.5--2011.10

本项目

技术领域电子8

研发人员数

技术A企业自有技术技术B

其中：2011年159.09

研发研发

总预算2502011-2013总支159.092012年

（万元）出（万元）

2013年

立项目的：本发明的目的在于通过采用特定的操作方式来

立项目的及减小多层式闪存在使用过程中的错误率，延长器件的使

组织实施方用。这种可靠性的增强技术可以广泛适用于各种使用多

式（400字）

层式闪存作为介质的系统中，以提高系统整体的可

靠性。

组织实施方式：

技术：本发明提出了三种可以降低多层式闪存错

误率的编程操作方法。这些编程方法通过在编程的过程中跳

过一些特定逻辑页的方法，降低闪存在操作过程中受到的浮

栅耦合效应的影响。

方法1选择对多层式闪存中的奇数页和偶数物

理页中的MSB页进行编程。方法2则在编程过程中选择跳过

多层式闪存页中对角方向上相邻的两组LSB页。方

法3在编程过程中选择跳过多层式闪存间隔页中的

两组LSB页来抑制浮栅耦合效应。

在方法1、方法2和方法3的基础之上，本发明提出根据闪

存错误数目的变化调整编程方式，平衡各个逻辑页的损耗。

当闪存器件中的错误数目增多时，采用方法1；当闪存器件

技术及

创新点（4