晶体振荡电路设计与量测技术探讨.pdfVIP

震荡电路的设计与量测

在制程技术的不断提升下，产品体积大幅缩小，对功能与运算时脉却更为要求，因此，本文以晶体震荡电路的

设计与量测为题，探讨相关特性与技术。

由于科技的日新月异，IC的复杂度与精确度较从前大幅提升，所需的时脉速度也越来越高，相对的要求时脉的

稳定度与精确度也大幅提升，如何利用晶体（Crystal）来设计与量测所需的振荡电路，已经成为一个重要的课题，以下

我们分成几个部分加以讨论。

电气特性

有鉴于其晶体电气特性的复杂，我们针对晶体的电气特性或是振荡电路有影响的部分，做一详细讨论，由于陶瓷/晶

体的电器特性相似，所以也一并讨论。

等效电路

陶瓷/晶体虽然在电器特性上有些差异，但是等效电路(图一)是相同的，虽然陶瓷振动的谐振现像，可以视为与晶体

相同，但主要差异在陶瓷振动的振荡频率，电感L1较小，串联电容C1相当大，此乃意味着串联谐振频率（fs）与并联谐

振频率（fa）差（即fs-fa）会变得相当宽阔。

图一Crystal/Ceramicmodel

图二串联

并联

当晶体工作在串联时，等效电路(图二)阻抗在时是趋近于0，好的串联线路

设计，与负载电容无关，所以就不需要指定。

当晶体工作在并联时，就像一电感在电，因此负载电容就非常重要，因为它可以决定振荡点的位置，如(图

三)所示。而且电抗改变，频率也跟随着改变，所以在不同频率与间，由、L1决定，在并联线路的设计上，负载电容是需

要指定的，如(图四)所示。

图三并联频率区域

图四并联

AT-CUT与BT-CUT

典型的AT-CUT曲线是S形，BT-CUT曲线是拋物线形，如(图五)所示；两种Cut都对称于室温（25℃±3℃）。在相

同的频率下，BT-CUT的Quartzblank相对的比A-CUT厚，因此较好的Yield与低单价，在选择适当的切割前，要注

意的是他们所拥有的不同移动参数和频率VS温度特性。

图五温度曲线图

改变负载电容和Pullability

Pullability是定义频率与负载电容的关系，而负载电容是指与晶体串联或是并联的电容。如果晶体工作在并联振荡

时，晶体就会等效于电感，当电抗改变时，频率也会跟着改变，不同的频率在与间，由晶体的与CL决定。

（一）

相同的晶体在3倍频工作模式下，Pullability影响较小，因为C1在3倍频模式下的电容值是在基频下的约1/9。

如果CL小或者是C1大，则频率的灵敏度就会提升，导致在较小负载电容的情况下，设计和控制准确频率的难度很高。

OvertoneCrystal

倍频的晶体架构(图六)，为基频的奇数倍。