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基于19nm TLC闪存芯片固态研发与优化.pdfVIP

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  • 2026-01-23 发布于北京
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基于19nm TLC闪存芯片固态研发与优化.pdf

    一、立项目的

    TLC(Triple-LevelCell)闪存是一种单位浮栅单元可以3bit

    数据的NAND闪存。由于TLC闪存的容量相较与传统的MLC

    闪存增加50%，因此，TLC闪存的大量商业化应用能有效地降低单

    位容量的价格，成为固态的新方向。

    然而，要将TLC闪

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