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金属化工艺试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.下列哪种金属化工艺主要利用电解原理在基材表面沉积金属层？

A.化学气相沉积（CVD）

B.物理气相沉积（PVD）

C.化学镀

D.烧结金属化

2.在化学镀镍过程中，通常用作还原剂的物质是？

A.氧气

B.氢气

C.铵离子

D.镍离子

3.金属化工艺中，挂具的主要作用是？

A.提供金属离子

B.控制溶液pH值

C.连接待金属化的工件，并确保电流均匀分布

D.催化金属沉积反应

4.金属化层出现烧焦现象，通常是由于什么原因造成的？

A.气氛中含氧量过高

B.沉积速率过快

C.温度过高

D.基材表面清洁度差

5.下列哪种金属化方法通常适用于非导体材料的表面金属化？

A.电解镀

B.化学镀

C.烧结金属化

D.物理气相沉积

6.化学镀液通常需要保持较高的pH值，这是因为？

A.提高金属离子浓度

B.增强还原剂活性

C.抑制副反应发生

D.以上都是

7.在半导体器件的金属化工艺中，选择金属化材料时，通常优先考虑其？

A.硬度高

B.导电性能好且接触电阻低

C.耐腐蚀性强

D.成本低廉

8.金属化后进行热处理的主要目的是？

A.提高金属化层的硬度和耐磨性

B.增强金属化层与基材的结合力

C.改善金属化层的导电性

D.以上都是

9.检查金属化层厚度常用的方法不包括？

A.千分尺测量

B.洛氏硬度计测试

C.X射线衍射（XRD）

D.化学滴定法

10.金属化工艺中，溶液的稳定性是指？

A.溶液成分长期保持不变

B.沉积速率恒定

C.溶液不易产生沉淀或分解

D.pH值稳定

二、判断题（每题1分，共10分，请将正确划在括号内，错误划在括号外）

1.()电镀和化学镀的原理完全相同，只是供电方式不同。

2.()金属化工艺前，基材表面的油污和氧化膜对金属化层的质量没有影响。

3.()化学镀不需要外加电流，依靠金属离子自发沉积。

4.()金属化层的结合力通常用结合强度来衡量，数值越高越好。

5.()物理气相沉积（PVD）的速率通常比化学气相沉积（CVD）快。

6.()金属化工艺中产生的废液可以直接排放，无需处理。

7.()金属化层出现针孔缺陷通常是由于溶液中含气量高或基材清洗不净造成的。

8.()任何金属都可以用作金属化工艺的沉积金属。

9.()金属化工艺后，必须立即进行干燥处理，防止金属化层被腐蚀。

10.()提高化学镀的温度通常会显著提高沉积速率。

三、填空题（每空1分，共15分）

1.金属化工艺是指利用化学或物理方法在非金属或半导体基材表面沉积一层__________的过程。

2.化学镀镍通常使用__________作为主盐，__________作为还原剂。

3.金属化工艺前，基材表面必须进行严格的__________，以去除油污、氧化膜等杂质。

4.金属化层的厚度通常受__________、__________和__________等因素的影响。

5.金属化工艺中，溶液的__________和__________是两个重要的控制参数。

6.金属化层常见的缺陷有__________、__________、__________等。

7.烧结金属化通常适用于__________材料的表面金属化。

四、简答题（每题5分，共20分）

1.简述化学镀与电解镀的主要区别。

2.影响化学镀镍层质量的工艺因素有哪些？

3.解释金属化层结合力的含义，并简述提高结合力的方法。

4.简述金属化工艺前基材表面预处理的主要步骤和目的。

五、论述题（10分）

结合实际，论述在半导体器件制造中，选择合适的金属化工艺和材料的重要性，并分析可能遇到的主要挑战及相应的解决思路。

试卷答案

一、选择题

1.B

解析：物理气相沉积（PVD）是利用物理过程（如蒸发、溅射）将金属原子沉积到基材表面。电镀（电解镀）是利用电解原理。化学镀和烧结金属化原理也不同。

2.B

解析：化学镀镍最常用的还原剂是次磷酸钠（NaH?PO?），它在一定条件下会释放出氢气（H?）或磷的氢化物，将镍离子还原成镍原