第三章：纳米材料基本理论.pptxVIP

第三章：纳米材料基本

理论

·1.尺寸效应—Kubo理论

·2.表面效应

·3.库仑阻塞和量子隧穿

·4.介电限域效应;

1.尺寸效应—Kubo理

论

1)量子尺寸效应(Kubo公式):δ=(4/3)(E/N)∞V-1

·δ,相临电子能级间距；

·N,粒子内总导电电子数；E,费米能级；V,粒子体积

·当粒子为球形时，δ∞1/d3

·金属能级的不连续和半导体能级间隙变宽;

分立能级

表面能;

量子尺寸效应

·当粒子尺寸下降到某一值时，金属费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象和纳米半导体微粒存在不连续的最高被占据分子轨道和最低未被占据的分子轨道能级，能隙变宽现象均称为量子尺寸效应.;

·当能级间距大于热能、磁能、静磁能、静电能、光子能量或超导态的凝聚能时，这时必须要考虑量子尺寸效应，这会导致纳米微粒磁、光、声、热、电以及超导电性与宏观特性有着显著的不同.

·纳米微粒的比热、磁化率与所含的电子奇偶性有关，光谱线的频移，催化性质与粒子所含电子数的奇偶有关.

·导体变绝缘体等.;

2)小尺寸效应：

·粒子尺寸与光的波长、单磁筹临界尺寸、超导态的相干长度相当或更小时,引起的相关物理性质的变化。

·□光吸收显著增加，并产生吸收峰的等离子共振频移；

·□磁有序态向磁无序态过渡；

·□超导相向正常相转变；

·纳米粒子熔点的改变：金：熔点1337K,2nm粒子为600K;

纳米微粒尺寸

d/nm;

表面效应

表面原子百分数

100r

80

60

40

20-

0;

2.表面效应;

(a)(b)(c)

Fig.2.AtomicCNof(a)monatomicchain(z=2);(b)single-walledCNT(z=2,3);and(c)anfccunitcell(zvariesfromsitetosite).;

·随着粒径减小，表面原子数迅速增加.这是由于粒径小,表面积急剧变大所致.

·粒径为10nm时，比表面积为90m2/g,粒径为5nm时，比表面积为180m2/g,粒径下降2nm,比表面积猛增到450m2/g.

·这样高的比表面，使处于表面的原子数越来越多，同时,表面能迅速增加.

·由于表面原-子数增多，原子配位不足及高的表面能，使这些表面原子具有高的活性，极不稳???，很容易与其他原子结合.

·例如金属的纳米粒子在空气中会燃烧，无机的纳米粒子暴露在空气中会吸附气体，并与气体进行反应.;

Ec=e2/2C

充入一个电子所需要的能量也称库仑堵塞能

这种小体系中单电子输运行为称

为库仑堵塞效应。;

Au(111)

Biasvoltage(V)

“CoulombStaircase”atroomtemperatureinaself-assembledmolecular

nanostructure,Science,V272,1323-1325;

在第一个量子点上所加的电压必须克服Ec,电子才能隧穿，

Ve/C

通常，库仑堵塞和量子隧穿都是在低温下才能观察到，条件是(e2/2C)k?T。如果粒子特别小，一般在lnm左右时就可以在室温下观察到。;

4.介电限域效应

·纳米微粒分散在异质介质中由于界面引起的体系介电增强的现象。

·介电限域对光吸收、光化学、光学非线性等性质都有影响。;

第四章：纳米材料的合

成方法

·物理方法：物理粉碎法、激光蒸发法、喷雾法、分子束外延法.

·化学方法：沉淀法、溶胶-凝胶法、微反应器法、水热及溶剂热法、化学气相沉积法..

·1.分类：物理方法和化学方法;

几种化学方法简介

·1)化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition,CVD)

·利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上反应生成

固态沉积物的技术。

·20世纪60年代JohnMBlocherJr等首先提出VaporDeposition,根据过程的性质分为PVD和CVD。

·CVD技术被广泛应用于半导体和集成电路技术：

·÷CVD是目前超纯多晶硅的唯一生产方法；

·÷化合物半导体的制备，比如III-V族半导体；

·÷各种搀杂半导体薄膜的生长，以及绝缘薄膜的生长;

140-240℃

Ni(CO)?———→Ni+CO

750C

3SiH?+4NH?→