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- 2026-01-24 发布于浙江
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一、填空题
1.二极管的基本特性为。
①温度特性②击穿特性③单向导电特性
2.电路如图,Dz1的稳定电压为8V,Dz2的稳定电
压
为6V。则V=()。(Dz、Dz都为硅管)
012
①1.4V②14V③8.7V④6.7V
3.在P型半导体中,电子浓度空穴浓度。
①等于②不确定③大于④小于
4.在常温下,二极管正偏时的ID=1(mA),VD=0.6(V),试问二极管的
动态电阻rd等于()。
①26Ω②100Ω③600Ω④条件不够无法计算
5.二极管的正向电阻反向电阻。
①小于②等于③大于④不确定
6.PN结正向偏置时,()起主要作用。
①耦合电容②旁路电容③势垒电容④扩散电容。
7.i与i的数量在三极管放大区的近似关系是:…
BC
①i=i+(1-)I②i=i+(1+)I
CBCBOCBCBO
③i=i-(1-)I④i=i-(1+)I,
CBCBOCBCBO
8.在某放大电路中,三极管三个电极电流如图所示。已量出
I1=1.2mA,I2=0.03mA,I3=1.23mA。由此可知:
a.电极①是()极,电极②是()极,电极③是()极。
b.此三极管的类型是()型(NPN或PNP),请在圆圈中画出三极
管的电路符号。
9.当三极管工作在饱和区时,其发射结与集电结所加的偏置分别为()。
①发射结,集电结均正偏②发射结,集电结均反偏
③发射结正偏,集电结反偏④发射结反偏,集电结正偏
10.一锗材料组成的PNP型三极管,分别测得三个电极对地电压为V=3V,
B
V=2.8V,V=6V时,则该管工作于()。
EC
①放大状态②饱和状态③截止状态④击穿状态
11.测得NPN型三极管的e、b、c三个电极分别对地电压为:V3.2V,V2.5V
EB
,V7V,则可判断该管工作在()。
C
①饱和区②截止区③线性放大区④击穿区
12.用于小信号放大时,场效应管应工作在输出特性的区。
①可变电阻区②恒流区③击穿区④截止区
13.集成运放用作比较器时,其工作状态为()。
①
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