集成电路设计与测试基础试题.pdfVIP

基础工艺和版图设计测试试卷

（考试时间：60分钟，总分100分）

得分

题型填空题选择题简单题分析题

分值30451510

第一部分、填空题（共30分。每空2分）

1、在unix操作系统中，使用chmod命令时，对某个目录下的所有子目录的进行修改的参数是-R。

2、在IC设计中经常用到的UNIX操作系统，其常用的Vi文本编辑器并保存的操作为:wq。

3、NMOS是利用电子来传输电信号的金属；PMOS是利用空穴来传输电信号的金属。

4、即“IC”，俗称，按功能不同可分为数字和模拟，按导电类型不同可分为

双极型和单极型，前者频率特性好，但功耗较大，而且制作工艺复杂，不利于大规模集

成；后者工作速度低，但是输入阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成。

5、金属(metal)—氧化物(oxid)—(semiconductor)场效应晶体管即MOS管，是一个四端有源器件，其四端分别是栅

极、源极、漏极、背栅。

6、设计分为全定制设计方法和半定制设计方法，其中全定制设计方法又分为基于门阵列和单元

的设计方法，利用率最低的是基于门阵列的设计方法。

第二部分、选择题（共45分。每题3分，多选，错选分，少选得1分）

1、在CMOS中，以下属于常用电容类型的有（ABCD）

A、MOS电容B、双层多晶硅电容C、金属多晶硅电容D、金属—金属电容

2、在CMOS中，以下属于常用电阻类型的有（ABCD）

A、源漏扩散电阻B、阱扩散电阻C、沟道电阻D、多晶硅电阻

3、以下属于无源器件的是（CD）

A、MOS晶体管B、BJT晶体管C、POLY电阻D、MIM电容

4、与成本相关的是（ABC）

A、晶圆上功能完好的数B、晶圆成本C、的成品率D、以上都不是

5、通孔的作用是（AB）

A、连接相邻的不同金属层B、使跳线成为可能C、连接第一层金属和有源区D、连接第一层金属和衬底

6、IC版图的可靠性设计主要体现在（ABC）等方面，避免器件出现性失效而影响良率。

A、天线效应B、闩锁（Latchup）C、ESD(静电泄放)保护D、工艺角（processcorner）分析

7、减小晶体管尺寸可以有效提高数字的性能，其是（AB）

A、寄生电容减小，增加开关速度B、门延时和功耗乘积减小C、高阶效应减少D、门翻转电流减小

8、一般在版图设计中可能要对电源线等非常宽的金属线进行宽金属开槽，主要是抑制热效应对的损害。下面哪些做法符合

宽金属开槽的基本规则？（ABCD）

A、开槽的拐角处呈45度角，减轻大电流密度导致的B、把很宽的金属线分成几个宽度小于规则最小宽度的金属线

C、开槽的放置应该总是与电流的方向一致D、在拐角、T型结构和电源PAD区域开槽之前要分析电流流向

9、以下版图的图层中与工艺制造中出现的外延层可能直接相接触的是（AB）。

A、AA（activearea）B、