30V 7A 23mΩN沟道PowerTrench®MOSFET特性描述.pdfVIP

二月2010

FDS8984_F085N沟道

tm

PowerTrench®MOSFET

30V，7A，23mΩ

一般描述特性

◼最大rDS(on)=23mΩ,VGS=10V,ID

此N沟道MOSFET专门设计用于提高使用同步或传统开关

=7A最大rDS(on)=30mΩ,VGS=4.

PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。它已针对低栅

极电荷、低rDS(ON)和快速开关速度进行了优化。5V,ID=6A低栅极电荷100%RG测试

◼符合AECQ101

◼符合RoHS

D2

D2

D154

D1

6Q23

SO-8SS2G272

G1

S18Q11

MOSFET最大额定值TA=25°C（除非另有说明）

符号参数额定值单位

VDS漏极到源极电压30V

VGS栅极到源极电压±20V

连续漏极电流（注1a）7A

ID

脉冲30A

E32mJ

AS雪崩能量（注2）

单次操作功耗1.6W

PD

25°C以上降额13mW/°C

TJ,TSTG工作和温度‑55到150°C

热特性

R