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  • 2026-01-25 发布于江苏
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集成电路布图设计侵权认定标准及案例.docx

集成电路布图设计侵权认定标准及案例

引言

集成电路布图设计是微电子技术的核心成果,是连接芯片设计与制造的关键桥梁。它通过图形化方式呈现了半导体元件及其连接关系,既是技术创新的结晶,也是具有商业价值的智力成果。随着芯片产业的快速发展,布图设计侵权纠纷日益增多,如何准确认定侵权行为,既关系到权利人合法权益的保护,也影响着行业创新生态的健康发展。本文将围绕侵权认定的核心标准展开论述,并结合典型案例分析司法实践中的具体应用,以期为相关主体提供参考。

一、集成电路布图设计的法律属性与保护基础

要准确认定侵权行为,首先需明确布图设计的法律属性及受保护的前提条件。根据相关法律规定,集成电路布图设计是指集成电路中至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部互连线路的三维配置,或者为制造集成电路而准备的上述三维配置。其本质是一种介于著作权与专利权之间的特殊知识产权客体,既要求具有一定的创造性,又强调实用性。

(一)受保护的实质性要件:独创性与非常规性

法律对布图设计的保护并非无条件覆盖所有设计方案,而是要求其满足“独创性”和“非常规性”双重标准。所谓“独创性”,是指该布图设计是创作者自己的智力劳动成果,并且在其创作时,该布图设计在布图设计创作者和集成电路制造者中不是公认的常规设计。例如,若某布图设计仅为行业内通用的简单连接方式(如电阻与电容的基础串联),则因缺乏独创性难以获得保护;而若设计者通过优化元件布局,显著提升了芯片的集成度或降低了功耗,则更可能被认定为具有独创性。

“非常规性”则进一步限定了保护范围,即该设计不能是相关领域技术人员在常规设计中容易想到的方案。这一标准避免了将行业公知技术纳入私权范畴,平衡了创新激励与技术共享的关系。例如,在某芯片设计中,设计者采用了一种基于新型拓扑结构的互连方案,该方案在申请保护时未被同领域技术人员普遍掌握,即可被视为具有非常规性。

(二)保护客体的边界:思想与表达的区分

与著作权保护类似,布图设计的保护也遵循“思想与表达二分法”。法律保护的是布图设计的具体表达(即元件及线路的三维配置),而非抽象的技术思想或功能目标。例如,若两家企业均以“提高芯片运算速度”为目标,但分别采用了不同的元件布局方案,则不构成侵权;但如果后设计方直接复制了前设计方的元件位置、线路走向等具体表达,则可能被认定为侵权。这一区分确保了技术创新的开放性,避免权利人通过布图设计垄断技术思路。

二、集成电路布图设计侵权认定的核心标准

侵权认定是一个多维度的判断过程,需综合考量“接触可能性”“实质性相似”“无合法来源抗辩”等关键要素。司法实践中,通常遵循“接触+实质性相似”的基本逻辑,即首先证明被诉侵权方存在接触原布图设计的可能,再判断两者是否构成实质性相似,最后排除合法来源的抗辩理由。

(一)接触可能性:侵权行为的前提条件

接触可能性是指被诉侵权方有机会获取原布图设计的内容。这种接触可以是直接的(如通过合作、许可、技术转让等途径获得设计文件),也可以是间接的(如通过公开出版物、行业展会、离职员工等渠道接触)。例如,在某侵权纠纷中,原告诉称被告的技术团队曾参与原告布图设计的研发工作,后离职加入被告公司,这一事实即可作为接触可能性的重要证据。

需要注意的是,接触可能性的证明无需达到“必然接触”的程度,只需证明“合理可能”即可。例如,若原布图设计已通过专利申请公开(布图设计登记公告后即进入公开状态),则可推定同行业从业者存在接触可能;若原设计未公开,但被告与原告存在业务往来(如共同参与项目投标),则需结合具体证据(如邮件、会议记录等)证明接触的可能性。

(二)实质性相似:侵权认定的核心依据

实质性相似是判断侵权的关键环节,需从“比对对象”“比对方法”“比对标准”三个层面展开。比对对象应聚焦于受保护的布图设计的独创性部分,而非公知设计或常规表达。例如,若原设计中仅某一特定区域的元件布局具有独创性,而其他区域采用行业通用设计,则比对时应重点关注该特定区域。

比对方法通常包括“整体观察法”和“细节对比法”。整体观察法要求从布图设计的整体视觉效果、功能实现方式等角度判断是否构成实质性相似;细节对比法则需逐一对元件位置、线路走向、层间连接等具体细节进行比对。例如,在某案例中,原设计的“多核心处理器互连模块”采用了“星型拓扑+冗余线路”的独特设计,而被诉设计在相同模块中完全复制了这一拓扑结构和线路布局,即使其他模块存在差异,仍可能被认定为实质性相似。

比对标准需结合技术领域的特点。对于功能导向型布图设计(如专用集成电路),若两种设计在相同功能模块中采用了相同的元件配置方式,且该配置方式并非实现该功能的唯一选择,则更易被认定为相似;对于通用型布图设计(如存储芯片),若被诉设计在存储单元的排列密度、地址线连接方式等细节上与原设计高度一致,也可能构成实质性相

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