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- 2026-01-27 发布于北京
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2010年2月
FDS8949_F085双N沟道逻辑电平PowerTrench®tm
MOSFET40V,6A,29mΩ
特性一般描述
◼最大rDS(on)=29mΩ在VGS=10V最大rDS(on)这些N沟道逻辑
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