高性能可调谐外腔InAs_InP量子点激光器：原理、技术与应用进展.docxVIP

高性能可调谐外腔InAs/InP量子点激光器：原理、技术与应用进展

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，光通信、光传感以及光信号处理等领域对高性能光源的需求日益迫切。量子点激光器作为一种新型的半导体激光器，凭借其独特的量子限域效应展现出诸多优异性能，如低阈值电流、高特征温度、窄线宽以及良好的温度稳定性等，在现代光电子学领域中占据着愈发重要的地位。

InAs/InP量子点体系因其能覆盖1.3μm和1.55μm这两个在光通信中至关重要的波段，受到了广泛关注。1.3μm波段的光在光纤中具有低色散特性，而1.55μm波段则拥有最低的传输损耗，这使得基于InAs