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表面界面改性：解锁GaN初始成岛与InGaN有源层外延优化新路径

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子器件领域，氮化镓（GaN）和铟镓氮（InGaN）材料由于其优异的物理性质，占据了极为重要的地位。GaN作为一种宽禁带半导体材料，禁带宽度约为3.4eV，具有高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等优点，使其在高功率、高频以及高温电子器件应用中展现出巨大的潜力。例如，在射频功率放大器中，GaN基器件能够实现更高的功率密度和效率，有效提升通信系统的性能；在电力电子领域，GaN功率器件可降低能量损耗，提高能源利用效率，推动新能源汽车、智能电网等产业的发展。

InGaN作为GaN