《电力电子技术》_第2章.pptVIP

图2-23IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号返回下一页

图2-23IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号

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图2-24IGBT的转移特性和输出特性

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图2-25IGBT的开关过程

返回2.4典型全控型器件

引发擎住效应的原因,可能是集电极电流过大(静态擎住效应),也可能是duCE/dt过大(动态擎住效应),温度升高也会加重发生擎住效应的危险。动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流还要小,因此所允许的最大集电极电流实际是根据动态擎住效应而确定的。根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功率可以确定IGBT在导通工作状态的参数极限范围,即正向偏置安全工作区(ForwardBiasedSafeOperatingArea,FBSOA);根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率duCE/dt,可以确定IGBT在阻断工作状态下的参数极限范围,即反向偏置安全区(ReverseBiasedSafeOperatingArea,RBSOA)。上一页下一页返回2.4典型全控型器件

擎住效应曾经是限制IGBT电流容量进一步提高的主要因素之一,但经过多年的努力,自20世纪90年代中后期开始,这个问题已得到了很好的解决。此外,为满足实际电路的要求,IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起制成模块,称为逆导器件,选用时应加以注意。上一页返回2.5其他新型电力电子器件1.MOS门控晶闸管MOS门控晶闸管(MOSControlledThyristor,MCT)是将MOSFET与晶闸管组合而成的复合型器件。MCT将MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、快速的开关过程和晶闸管的高电压大电流、低导通压降的特点结合起来,也是Bi-MOS器件的一种。一个MCT器件由数以万计的MCT元组成,每个元的组成为一个PNP晶闸管、一个控晶闸管开通的MOSFET和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。MCT具有高电压、大电流、高载流密度、低通态压降的特点。其通态压降只有GTR的1/3左右,硅片的单位面积连续电流密度在各种器件中是最高的。另外,MCT可承受极高的di/dt和du/dt,使得其保护电路可以简化。MCT的开关速度超过GTR,开关损耗也小。下一页返回2.5其他新型电力电子器件

总之,MCT曾被认为是一种最有发展前途的电力电子器件。因此,20世纪80年代以来一度成为研究的热点。但经过十多年的努力,其关键技术问题没有大的突破,电压和电流容量都远未达到预期的数值,未能投入实际应用。而其竞争对手———IGBT却进展飞速,所以,目前从事MCT研究的人不是很多。2.静电感应晶体管静电感应晶体管(StaticInductionTransistor,SIT)诞生于1970年,实际上是一种结型场效应晶体管。将用于信息处理的小功率SIT器件的横向导电结构改变为垂直导电结构,即可制成大功率的SIT器件。上一页下一页返回2.5其他新型电力电子器件

SIT是一种多子导电的器件,其工作频率与电力MOSFET相当,甚至超过电力MOSFET,而功率容量也比电力MOSFET大,因而适用于高频大功率场合,目前已在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等专业领域获得了较多的应用。但是SIT在栅极不加任何信号时是导通的,而栅极加负偏压时关断,称为正常导通型器件,使用不太方便;此外,SIT通态电阻较大,使得通态损耗也大。SIT可以做成正常关断器件,但通态损耗将更大。因而SIT还未在大多数电力电子设备中获得广泛应用。上一页下一页返回2.5其他新型电力电子器件

3.静电感应晶闸管静电感应晶闸管(StaticInductionThyristor,SITH)诞生于1972年,是在SIT的漏极层上附加一层与漏极层导电类型不同的发射极层而得到的,就像IGBT可以看作电力MOSFET与GTR复合而成的器件一样,SITH也可以看作SIT与GTO复合而成。因为其工作原理也与SIT类似,门极和阳极电压均能通过电场控制阳极电流,因此SITH又被为场控晶闸管(FieldControlledThyristor,FCT)。由于比SIT多了一个具有少子注入功能的PN结,因而SITH本质上是两种载流子导电的双极型器件,具有电导调制效应,通态能力强。其很多特性与GTO类似,但开关速度比GTO高得多,是大容量的快速器件。上一页下一页返回2.5其他新型电力电子器件

SITH一般也是正常导通型,但也有正常关断型。此外,其制造工艺比GTO复杂得多,电流关断增益较