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  • 2026-01-28 发布于江西
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纳米片薄膜材料的制备及光电性能分析研究.pdf

第40卷第2期平顶山学院学报Vol.40No.2

2025年4月JournalofPingdingshanUniversityApr.2025

纳米片薄膜材料的制备及光电性能分析研究

(安徽三联学院工学部,安徽合肥230601)

摘要:以钨粉、钨酸钠、去离子水、盐酸等为原料,通过水热法制备水合三氧化钨薄膜,经煅烧处理后

获取WO纳米片阵列薄膜材料.结合扫描电镜、光电流和光电催化测试分析不同水热时间、不同煅烧温度以及

不同盐酸溶液浓度下薄膜材料的光电性能.结果显示:水热时间3h,WO薄膜光电流最大,并且50min时光电催

化降解率较1h和5h样品分别高出20%和10%.煅烧温度上升使薄膜表面产生褶皱和微小裂纹,光电流密度

和功率先升后降;煅烧450℃时,填充因子0.85,光电转换效率3.93%;而550℃时结构破坏,电流衰减.随着盐

酸溶液浓度的增加,纳米片外观由杂乱到完整再到形成密集氧化物,同时WO薄膜光电性能先增后减.综上可知,

-1

水热时间为3h、煅烧温度为450℃、盐酸溶液浓度为1.5mol·L时,WO纳米片阵列薄膜材料光电性能最佳.

关键词:纳米片;水热法;材料制备;煅烧温度;水热时间;性能分析

++

中图分类号:O472.8;TQ136.13文献标识码:A文章编号:1673-1670(2025)02-0030-05

单,可控性强,但是不能对薄膜完成大面积制备,限

0引言

制了大规模产业化生产.

开发环保可再生能源(如太阳能)对解决能源水热法制备薄膜具有反应温度低、操作简单、

[1]

危机问题十分重要,需要研制高效稳定的电池原料丰富、成本低以及结晶度高等优点,适合大规

以有效利用太阳能.WO(三氧化钨)是一种可见[6]

3模投入生产.笔者应用水热反应制备WO薄膜,

光响应良好、化学稳定性高和抗光腐蚀的半导体功并分析不同条件下的光电性能.

能材料,拥有良好的应用前景.然而,WO的光电

1材料与方法

转化效率并不高,对可见光利用率低等问题限制了

[2][3]

其开发和应用.张得全等采用凝胶法制备纳1.1试验材料与设备

米薄膜,把经过水解反应的钨粉和无机化合物凝聚1.1.1试验材料

形成溶胶,在基底上通过喷涂法将胶体附着基底表具体见表1.

面,采用热处理得到纳米薄膜.但该方法制备的薄表1试验材

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