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低剂量Ga?辐照与温度对自旋阀性能的多维影响研究

一、绪论

1.1研究背景与意义

在现代信息技术飞速发展的背景下，电子器件的性能提升与小型化成为关键追求。自旋阀作为自旋电子学领域的重要器件，凭借其独特的巨磁电阻效应，在高密度数据存储、高灵敏度磁场传感等领域展现出不可或缺的地位。在数据存储方面，自旋阀数据读出磁头极大地提高了硬盘的存储密度，推动了数据存储技术的变革；在磁场传感领域，自旋阀传感器以其高灵敏度和低功耗，在生物医学检测、地质勘探等多领域发挥关键作用。

随着科技向极端环境拓展，如航空航天、深海探测、核能应用等，自旋阀需在复杂且严苛的条件下稳定工作。其中，低剂量辐照和温度变化是常见且对自旋阀性能影响显著的因素。低剂量Ga?辐照在半导体器件制备、材料表面改性等微加工工艺中广泛应用，虽剂量低，但仍可能使自旋阀晶格产生缺陷、原子位移，干扰内部电子自旋输运，改变磁性能和磁电阻特性。而温度变化会影响自旋阀材料原子热运动、磁相互作用，进而改变磁各向异性、矫顽力等性能参数，极端温度还可能导致材料结构变化，如相变、晶粒长大等，威胁自旋阀稳定性和可靠性。

当前，针对低剂量Ga?辐照和温度对自旋阀磁性能及其稳定性影响的研究尚不完善。深入探究这两个因素的影响机制，不仅能为自旋阀在复杂环境下的应用提供理论依据，指导高性能、高稳定性自旋阀的设计与制备，还能拓展其在极端条件下的应用范围，如提升航空航天中数据存储和磁场探测的可靠性，助力深海探测设备的精准磁场感知，对推动信息技术在极端领域的发展具有重要意义。

1.2自旋阀概述

1.2.1自旋阀结构与分类

自旋阀的基本结构通常包含铁磁层、非磁层和反铁磁层。铁磁层是产生磁性的关键部分，非磁层起到分隔铁磁层的作用，反铁磁层则用于钉扎铁磁层的磁矩方向。按照结构差异，自旋阀主要分为简单自旋阀和对称自旋阀。

简单自旋阀的结构一般为铁磁自由层/非磁层/铁磁被钉扎层/反铁磁层。其中，自由层的磁矩易受外磁场影响而改变方向，被钉扎层的磁矩则受反铁磁层交换偏置作用相对固定。这种结构简单，易于制备，在早期自旋阀研究和一些对性能要求相对不高的应用中较为常见，如早期的磁存储设备。

对称自旋阀具有更为复杂的结构，常表现为反铁磁层/铁磁被钉扎层/非磁层/铁磁自由层/非磁层/铁磁被钉扎层/反铁磁层。这种结构在提高磁电阻变化率和稳定性方面具有优势，能够满足对灵敏度和可靠性要求更高的应用场景，如高精度磁场传感器。其两侧对称的结构设计，使得自旋阀在面对不同方向的磁场变化时，能更稳定地工作，减少因外界干扰导致的性能波动。

此外，根据应用需求和材料特性，还有其他衍生结构的自旋阀。如基于有机材料的有机自旋阀，结合了有机材料的柔韧性、可溶液加工性等优点，为自旋阀在柔性电子器件中的应用开辟了道路；基于二维材料的自旋阀，利用二维材料独特的电学和磁学性质，有望实现更高性能和更小尺寸的自旋阀器件，以满足未来电子设备对小型化和高性能的需求。不同结构的自旋阀在性能上各有优劣，其结构特点决定了在不同领域的适用性，推动着自旋阀技术的多元化发展。

1.2.2巨磁电阻原理

自旋阀的巨磁电阻效应基于电子的自旋相关散射机制。在铁磁材料中，电子的自旋方向与材料的磁化方向密切相关。当电流通过自旋阀时，电子在不同层之间传输。

在无外磁场或外磁场较小时，自旋阀中两个铁磁层的磁矩方向可能不一致。此时，自旋向上和自旋向下的电子在穿越非磁层时，由于受到铁磁层磁矩的不同散射作用，导致电子散射概率增大，电阻较高，处于高阻态。例如，当一个铁磁层的磁矩向上，另一个铁磁层的磁矩向下时，自旋向上的电子在从一个铁磁层进入另一个铁磁层时，会受到较强的散射，因为其自旋方向与第二个铁磁层的磁矩方向不一致。

当施加足够强的外磁场时，外磁场的作用使两个铁磁层的磁矩方向趋于平行。在这种情况下，自旋向上和自旋向下的电子在穿越非磁层时散射概率减小，电阻显著降低，自旋阀处于低阻态。因为此时电子的自旋方向与两个铁磁层的磁矩方向更加匹配，散射作用减弱，电子更容易通过自旋阀，从而使电流增大，电阻减小。

这种电阻随外磁场变化而发生显著变化的特性，即巨磁电阻效应，使得自旋阀能够将磁场信号转化为电信号，在磁场传感、数据存储等领域发挥关键作用。例如，在硬盘的数据读出磁头中，通过检测自旋阀电阻的变化，可以精确读取磁盘上记录的微弱磁信号，实现数据的准确读取；在磁场传感器中，利用巨磁电阻效应可以对微小的磁场变化进行高灵敏度检测，广泛应用于生物医学检测中的细胞磁性标记检测、地质勘探中的微弱地磁场变化探测等领域。

1.2.3研究进展与应用

自旋阀的研究始于20世纪90年代初，随着巨磁电阻效应的发现，自旋阀作为一种新型的磁电阻器件受到了广泛关注。早期研究主要集中在探索自旋阀的基本结构和巨