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2025无机材料合成与制备试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题：

1.下列合成方法中，适合制备高纯度纳米氧化铝粉末的是（）

A.传统固相反应法B.共沉淀法C.水热合成法D.溶胶-凝胶法

2.化学气相沉积（CVD）制备TiN薄膜时，影响薄膜致密度的关键工艺参数是（）

A.反应温度B.气体流量比C.基底温度D.真空度

3.溶胶-凝胶法制备BaTiO?陶瓷时，常用的醇盐是（）

A.Ba(OH)?和TiCl?B.Ba(OCH?CH?)?和Ti(OCH(CH?)?)?C.BaCO?和TiO?D.Ba(NO?)?和Ti(OC?H?)?

4.固相反应法制备ZrO?-MgO复相陶瓷时，提高反应速率的措施不包括（）

A.减小原料粒径B.降低反应温度C.添加矿化剂D.提高反应温度

5.水热合成法的典型特征是（）

A.常温常压B.高温高压C.有机溶剂D.开放体系

6.下列方法中，适合制备高纯度单晶硅的是（）

A.共沉淀法B.气相沉积法C.固相反应法D.溶胶-凝胶法

7.化学气相沉积（CVD）制备金刚石薄膜时，影响薄膜结晶度的关键因素是（）

A.气体流速B.基底温度C.真空度D.反应时间

8.溶胶-凝胶法制备SiO?薄膜时，导致薄膜开裂的主要因素是（）

A.干燥速率过快B.溶胶黏度过低C.热处理升温速率慢D.薄膜厚度过小

9.共沉淀法制备多组分材料时，确保组分均匀的关键是（）

A.快速沉淀B.控制沉淀pH值C.高温沉淀D.有机溶剂沉淀

10.固相反应的速率主要受以下哪项控制（）

A.反应物浓度B.扩散速率C.催化剂活性D.反应温度

11.下列合成方法中，以水为溶剂的是（）

A.溶胶-凝胶法B.水热合成法C.气相沉积法D.固相反应法

12.溶胶-凝胶法制备纳米TiO?时，抑制水解速率的常用试剂是（）

A.HClB.NaOHC.冰醋酸D.NH?·H?O

13.化学气相沉积（CVD）制备薄膜时，基底预处理的主要目的是（）

A.清洁表面B.提高附着力C.降低温度D.增加厚度

14.水热合成法制备纳米ZnO时，影响纳米棒形貌的关键参数是（）

A.反应时间B.反应温度C.前驱体浓度D.搅拌速率

15.固相反应法制备陶瓷时，烧结的主要目的是（）

A.减小孔隙率B.增加孔隙率C.降低密度D.增加杂质

填空题：

1.溶胶-凝胶法制备BaTiO?陶瓷时，常用的醇盐是______和______，水解反应的催化剂通常为______。

2.固相反应法制备ZrO?-MgO复相陶瓷时，提高反应速率的措施包括______、______和______。

3.水热合成法的反应条件通常为高温______和高压______。

4.化学气相沉积（CVD）制备TiN薄膜时，常用的气源是______和______。

5.溶胶-凝胶法制备SiO?薄膜的工艺流程包括前驱体配制、溶胶制备、______、涂膜、______、热处理和成膜。

6.共沉淀法制备纳米粉体时，影响粒径均匀性的关键因素是______和______。

7.固相反应的活化能可以通过添加______来降低。

8.气相沉积法制备薄膜时，薄膜的致密度主要取决于______和______。

9.溶胶-凝胶法制备纳米TiO?时，煅烧温度过高会导致______相生成。

10.水热合成法制备纳米材料时，反应介质通常为______或______。

名词解释：

1.共沉淀法

2.水热合成

3.化学气相沉积（CVD）

4.溶胶-凝胶法

5.固相反应

简答题：

1.比较固相反应法与液相共沉淀法制备ZrO?粉末的优缺点。

2.简述溶胶-凝胶法制备SiO?薄膜的工艺流程，并说明影响薄膜开裂的主要因素。

3.论述绿色合成理念在无机材料制备中的核心原则。

4.分析影响化学气相沉积（CVD）制备薄膜质量的关键因素。

5.解释固相反应中“扩散控制”的含义，并说明如何提高扩散速率。

6.简述水热合成法制备纳米材料的优势及局限性。

论述题：

1.论述“绿色合成”理念在无机材料制备中的应用，并以水热合成法为例，说明如何通过工艺优化实现绿色化。

2.分析化学气相沉积（CVD）制备金刚石薄膜时，影响薄膜质量（结晶度、